Les nouveaux commutateurs de puissance comportent 8 canaux et sont disponibles en versions haut (TPD2015FN) et bas (TPD2017FN). Ces deux composants bénéficient du procédé de fabrication BiCD (Analog Device Process) de Toshiba, qui combine les technologies bipolaires, CMOS et DMOS.
Ces deux produits sont conditionnés dans un boîtier SSOP30 compact au pas de 0,65 mm, mesurant seulement 9,7 × 7,6 × 1,2 mm. Ceci permet une réduction d'environ 29 % de la surface de montage et de 20 % de la hauteur par rapport au boîtier SSOP24 (13,0 × 8,0 × 1,5 mm) utilisé pour des produits actuels tels que le TPD2005F et le TPD2007F, réduisant ainsi la taille globale des circuits.
En termes de performances électriques, la résistance à l'état passant (RDS(ON)) des deux dispositifs est de 0,4 Ω, soit plus de 50 % inférieure à celle des produits Toshiba actuels, ce qui améliore considérablement l'efficacité opérationnelle et les performances thermiques. Ces commutateurs de puissance robustes peuvent fonctionner à des températures de fonctionnement (Topr) allant de -40 °C à +110 °C avec une température de jonction (Tj) pouvant atteindre +150 °C, ce qui garantit leur adéquation aux environnements industriels exigeants.
De plus, les deux produits intègrent des circuits de protection contre les surintensités et les surchauffes, garantissant ainsi la fiabilité des équipements dans lesquels ils sont utilisés.
