ROHM Semiconductor propose une large gamme de MOSFET SiC pour toutes ces applications. Cependant, choisir le bon MOSFET SiC ne suffit pas : il est également nécessaire d'utiliser le circuit intégré de commande de grille approprié. Les BM61S40RFV-C et BM61S41RFV-C, par exemple, offrent une tension d'isolation de 3 750 Vrms, un temps de latence d'entrée/sortie de 65 ns et une largeur d'impulsion d'entrée minimale de 60 ns. Grâce à leurs protections intégrées, telles que le blocage Miller et la protection contre les sous-tensions (UVLO), ces circuits intégrés conviennent à la commande de tous les MOSFET SiC de ROHM. Ils peuvent également être utilisés pour commander des MOSFET Si et des IGBT Si traditionnels.
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- Catégorie : Circuits intégrés
MOSFET SiC : circuits intégrés de commande de grille pour applications industrielles et automobiles
Les semi-conducteurs WBG ne sont plus une technologie du futur : les MOSFET SiC, par exemple, offrent des avantages dans des applications polyvalentes, allant des chargeurs embarqués et des convertisseurs CC/CC dans les applications automobiles aux applications industrielles telles que les systèmes photovoltaïques, les systèmes d’alimentation sans interruption, etc.
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