Le BD7682FJ-LB facilite l'intégration de MOSFET SiC dans un convertisseur AC/DC. La conception de convertisseurs AC/DC s'avère complexe avec des configurations discrètes, en raison du grand nombre de composants nécessaires. À l'inverse, le dernier produit de ROHM offre une solution hautement intégrée et établit de nouvelles normes en matière d'économies d'énergie et de miniaturisation, tout en favorisant l'adoption de semi-conducteurs de puissance SiC offrant des niveaux d'efficacité et de performance supérieurs.
Comparativement aux MOSFET en silicium utilisés dans les convertisseurs AC/DC classiques, les MOSFET en carbure de silicium (SiC) permettent d'obtenir des convertisseurs AC/DC avec un rendement énergétique jusqu'à 6 % supérieur. De plus, ils éliminent le besoin de composants de dissipation thermique (par exemple, dans les alimentations de 50 W), ce qui permet de concevoir des systèmes plus compacts. La spécification BD7682FJ-LB intègre également de multiples protections permettant une alimentation haute tension jusqu'à 690 Vca, ce qui les rend idéaux pour les équipements industriels courants tout en améliorant la fiabilité.
Ces dernières années, on observe une tendance croissante à la conservation de l'énergie dans tous les secteurs, y compris pour les équipements industriels haute tension. Pour atteindre cet objectif, il est nécessaire d'adopter des semi-conducteurs de puissance avancés et des circuits d'alimentation intégrés. Parmi ceux-ci, les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) devraient supplanter les solutions en silicium grâce à leurs capacités de tension plus élevées, leurs économies d'énergie plus importantes et leur format plus compact.
Cependant, jusqu'à présent, aucun circuit intégré de commande n'était capable d'exploiter pleinement le potentiel des MOSFET en SiC, notamment dans les convertisseurs AC/DC. De ce fait, les concepteurs sont confrontés à de nombreux défis liés à la consommation d'énergie et à la stabilité dans diverses applications de forte puissance.
Pour répondre à ces besoins, ROHM s'appuie sur une technologie analogique éprouvée et une expertise reconnue dans les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) afin de développer le premier contrôleur de convertisseur AC/DC du secteur spécifiquement conçu pour piloter les MOSFET SiC. À l'avenir, ROHM continuera d'innover en proposant des solutions de pointe, notamment par le développement de nouveaux circuits de commande intégrés pour convertisseurs AC/DC intégrant des MOSFET SiC.
Caractéristiques principales :
1. Performances optimales des MOSFET SiC et économies d'énergie innovantes :
Le BD7682FJ-LB intègre un circuit de commande de grille optimisé pour les MOSFET SiC, combinant une technologie de conception analogique et une expertise en développement de semi-conducteurs de puissance SiC. De plus, un système quasi-résonant offre un bruit réduit et un rendement supérieur aux méthodes PWM conventionnelles, permettant ainsi d'optimiser les performances des MOSFET SiC utilisés dans les convertisseurs AC/DC et de réaliser d'importantes économies d'énergie.
2. Les MOSFET en carbure de silicium (SiC) contribuent à une miniaturisation sans précédent.
Contrairement aux MOSFET en silicium classiques, l'utilisation de MOSFET en SiC dans les convertisseurs AC/DC élimine le besoin de composants de dissipation thermique, permettant ainsi de concevoir des convertisseurs AC/DC plus petits et plus légers. La prise en charge de fréquences de commutation plus élevées (jusqu'à 120 kHz) est également assurée, ce qui élargit le champ d'application tout en améliorant le rendement.
3. Plusieurs circuits de protection permettent un fonctionnement haute tension jusqu'à 690 Vca.
Ces circuits assurent un fonctionnement haute tension dans les convertisseurs AC/DC jusqu'à 690 Vca, idéal pour les applications industrielles courantes de 400 Vca. Outre la protection contre les surtensions pour la broche d'alimentation et la protection contre les sous-tensions pour la broche d'entrée, des fonctions de protection contre les surintensités et les surtensions secondaires sont également intégrées, garantissant un fonctionnement continu dans les équipements industriels et améliorant considérablement leur fiabilité.
Avantages des MOSFET SiC :
Les MOSFET SiC présentent plusieurs avantages par rapport aux MOSFET en silicium dans la gamme des hautes tensions, notamment de faibles pertes de commutation et de conduction, une compatibilité avec les fortes puissances et une meilleure résistance aux variations de température. L’exploitation de ces atouts permet d’améliorer le rendement de conversion de puissance, de miniaturiser les composants pour une meilleure dissipation thermique, d’augmenter la fréquence de fonctionnement pour utiliser des inductances plus petites, et bien plus encore, ce qui se traduit par des économies d’énergie accrues, une réduction du nombre de composants et un encombrement réduit.
