Tous les appareils offrent non seulement des fonctionnalités de gestion de l'énergie optimisées, mais aussi une conception de boîtier innovante et compacte qui répond aux besoins d'une large gamme d'applications, par exemple, les alimentations de grande puissance, les onduleurs, les équipements industriels, les serveurs et autres.
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Modules de puissance SiC complets 1200 V/300 A.
Le nouveau BSM300D12P2E001 est particulièrement adapté aux applications haute puissance, telles que les alimentations de grande capacité pour équipements industriels, grâce à son courant nominal de 300 A. De plus, il présente des pertes de commutation réduites de 77 % par rapport aux modules IGBT conventionnels, permettant un fonctionnement à haute fréquence et la réduction du nombre de composants de refroidissement et de périphériques. ROHM a intégré une nouvelle conception de boîtier qui minimise l'impact des pics de tension lors de la commutation. Une structure originale d'atténuation du champ électrique, associée à une nouvelle méthode de blindage, assure une fiabilité élevée, faisant de ce module une solution de remplacement idéale pour les modules IGBT avec des courants maximums plus élevés. Ce nouveau composant complète la gamme existante de modules de puissance SiC complets 1200 V/120 A (MOSFET et SBD inclus) et 1200 V/180 A (MOSFET uniquement), qui sont déjà largement utilisés dans les secteurs industriel et énergétique.
Modules de puissance intelligents (IPM) à base d'IGBT :
La nouvelle famille d'IPM (modules de puissance intelligents) pour la commande efficace de moteurs et les applications d'onduleurs comprend des modules à base d'IGBT optimisés pour un fonctionnement à basse ou haute vitesse, ainsi que des IPM à base de MOSFET intégrant la technologie brevetée Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™) de ROHM, le tout dans un boîtier compact HSDIP25. Cette solution offre aux fabricants d'électroménager et de moteurs industriels une solution extrêmement fiable et de nombreuses options de conception économiques. Ces nouveaux composants réduisent considérablement les pertes de puissance, aussi bien à faible qu'à forte charge, tout en augmentant la capacité de puissance. La gamme complète comprend des IGBT-IPM 10 A, 15 A et 20 A 600 V ; des versions 30 A sont en cours de développement.
Circuits intégrés de commande pour convertisseurs AC/DC à MOSFET SiC :
Le BD7682FJ-LB facilite l’intégration de MOSFET SiC dans un convertisseur AC/DC, surmontant ainsi les contraintes des configurations discrètes. Il offre une solution hautement intégrée et établit de nouvelles normes en matière d’économies d’énergie et de miniaturisation, tout en favorisant l’adoption des semi-conducteurs de puissance en SiC. Comparés aux MOSFET en silicium utilisés dans les convertisseurs AC/DC conventionnels, les MOSFET SiC permettent d’obtenir des convertisseurs AC/DC avec un rendement énergétique jusqu’à 6 % supérieur. De plus, l’absence de composants de dissipation thermique (tels que les alimentations de 50 W) contribue à une plus grande compacité. La spécification du BD7682FJ-LB inclut également de multiples fonctions de protection permettant une tension d’alimentation jusqu’à 690 Vca, ce qui le rend idéal pour les équipements industriels courants tout en améliorant la fiabilité.
