Microchip Technology Inc. annonce l'élargissement de sa gamme de composants SiC avec l'introduction de MOSFET SiC 3,3 kV présentant la plus faible résistance à l'état passant [RDS(on)] et de diodes Schottky SiC (SBD) affichant le courant nominal le plus élevé du marché. Les concepteurs peuvent ainsi tirer pleinement parti de leur robustesse, de leur fiabilité et de leurs performances. Grâce à cette gamme SiC étendue, les concepteurs de Microchip disposent des outils nécessaires pour développer des solutions plus compactes, plus légères et plus efficaces pour les transports électriques, les énergies renouvelables, l'aérospatiale et les applications industrielles.
De nombreuses conceptions à base de silicium ont atteint leurs limites en termes d'efficacité maximale, de réduction des coûts et d'innovation. Si le SiC haute tension constitue une alternative éprouvée pour atteindre ces objectifs, la disponibilité des dispositifs de puissance SiC 3,3 kV restait jusqu'à présent limitée. Les MOSFET et SBD 3,3 kV de Microchip rejoignent le catalogue complet de solutions SiC de l'entreprise, composé de dispositifs discrets non encapsulés, de modules et de pilotes de grille numériques pour 700 V, 1200 V et 1700 V.
Les composants de puissance SiC 3,3 kV de Microchip comprennent des MOSFET avec une RDS(on) de 25 mΩ, la plus faible du marché, et des diodes Schottky (SBD) avec un courant nominal de 90 A, le plus élevé du marché. Ces composants sont disponibles avec ou sans boîtier. Ces nouvelles performances permettent aux concepteurs de simplifier leurs conceptions, de créer des systèmes de puissance supérieure et d'utiliser moins de composants en parallèle pour des solutions d'alimentation plus compactes, plus légères et plus efficaces.
« Nous nous concentrons sur les développements qui permettent à nos clients d'intégrer rapidement des innovations à leurs systèmes et d'améliorer plus rapidement la compétitivité de leurs produits finaux », a déclaré Leon Gross, vice-président de la division Produits discrets de Microchip. « Notre nouvelle gamme de composants de puissance SiC 3,3 kV permet aux clients d'adopter facilement, rapidement et en toute confiance la technologie SiC haute tension, et de profiter des nombreux avantages de cette technologie prometteuse par rapport aux conceptions à base de silicium. »
Microchip a annoncé la production de centaines de dispositifs et solutions de puissance en SiC au cours des trois prochaines années, permettant ainsi aux concepteurs de trouver la combinaison idéale de tension, de courant et de boîtier pour leurs applications. Tous les MOSFET et diodes Schottky en SiC de Microchip sont conçus pour répondre aux besoins des clients et offrent les plus hauts niveaux de robustesse et de fiabilité du marché. Les dispositifs de l'entreprise respectent les pratiques d'obsolescence définies par le client, garantissant ainsi leur production continue aussi longtemps que nécessaire et que Microchip est en mesure de les fabriquer.
Les clients peuvent combiner les produits SiC de Microchip avec d'autres dispositifs Microchip, tels que ses microcontrôleurs 8, 16 et 32 bits, ses dispositifs de gestion de l'alimentation, ses capteurs analogiques, ses contrôleurs tactiles et gestuels et ses solutions de connectivité sans fil, afin de créer des systèmes complets à un coût total de possession réduit.
Outils de développement :
La gamme étendue de dispositifs SiC est prise en charge par une série de modèles SPICE pour SiC compatibles avec les modules de simulation analogique MPLAB® Mindi™ et les schémas de référence des cartes de contrôle Microchip. L'outil de configuration intelligent (ICT) permet aux concepteurs de développer des modèles de circuits de commande de grille SiC performants pour la gamme de circuits de commande de grille numériques configurables AgileSwitch® de Microchip.
Disponibilité :
Les commandes prêtes pour la production sont désormais ouvertes pour ces composants SiC discrets de 3,3 kV, non encapsulés et disponibles dans différents boîtiers.
