Ce nouveau composant offre une densité de puissance plus élevée, permettant une réduction de la taille et un gain de place sur le circuit imprimé, améliorant ainsi l'efficacité et fournissant un courant plus élevé.
Grâce à sa très faible résistance de conduction,
ce MOSFET est idéal pour la conception d'alimentations, de convertisseurs POL ou de convertisseurs CC/CC dans des applications telles que les télécommunications, la radiofréquence ou les PC/serveurs.
Caractéristiques
: • MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV.
• MOSFET SkyFET® côté bas avec résistance Schottky intégrée.
• Testé à 100 % pour la résistance de gain (Rg) et l'isolation (UIS).
• Configuration demi-pont dans un format compact de 3,3 mm x 3,3 mm.
• Catégorisation des matériaux : Pour les définitions de conformité, veuillez consulter www.vishay.com/doc?99912
Applications
• Alimentation pour processeur
• Périphériques PC/serveur
• Convertisseurs polarisants/abaisseurs
• Télécommunications CC/CC
