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Catégorie : Circuits intégrés
28 avril 2021

Transistors GaN FET 650 V pour alimentations de classe Titanium 80 PLUS® à partir de 2 kW

Nexperia annonce la disponibilité en volume de sa famille de transistors GaN FET de puissance 650 V de deuxième génération, offrant des performances nettement supérieures aux technologies précédentes et aux composants concurrents. Avec une résistance à l'état passant (RDS(on)) pouvant atteindre 35 mΩ (valeur typique), ces nouveaux transistors GaN FET de puissance sont destinés aux alimentations industrielles à découpage (SMPS) monophasées AC/DC et DC/DC de 2 kW à 10 kW, notamment pour les serveurs et les équipements de télécommunications devant répondre à la norme d'efficacité 80 PLUS® Titanium. Ils conviennent également aux onduleurs solaires et aux servovariateurs de même puissance.
Disponibles en boîtier TO-247, les nouveaux transistors GaN FET de puissance 650 V H2 offrent une réduction de taille de 36 % pour une RDS(on) donnée, améliorant ainsi la stabilité et l'efficacité.

La configuration en cascade élimine le besoin de circuits de commande complexes, accélérant ainsi la mise sur le marché. Ces dispositifs offrent des performances exceptionnelles en commutation dure et en commutation douce, offrant aux concepteurs une flexibilité maximale.
Dilder Chowdhury, directeur marketing stratégique GaN chez Nexperia, explique : « Le titane est la norme la plus exigeante de la gamme 80 PLUS®, nécessitant un rendement supérieur à 91 % à pleine charge (plus de 96 % à 50 % de charge). Atteindre ce niveau de performance dans les applications d’alimentation pour serveurs fonctionnant à 2 kW et plus, avec des composants en silicium conventionnels, est complexe et difficile. Les nouveaux transistors FET de puissance GaN de Nexperia sont parfaitement adaptés à une configuration totem-pole élégante et sans pont, qui utilise moins de composants et réduit à la fois la taille et les coûts. »
Les transistors FET GaN GAN041-650WSB de Nexperia sont désormais disponibles en grande quantité.


Fiches techniques et tutoriels vidéo.
Les concepteurs pourront découvrir les transistors GaN FET de Nexperia en action en visitant le stand Nexperia lors des PCIM Digital Days, du 3 au 7 mai. 

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