La série RGWxx65C utilise les diodes Schottky SiC à faibles pertes de ROHM dans le bloc de rétroaction de l'IGBT. Ces diodes fonctionnent en mode libre, sans énergie de récupération, ce qui minimise les pertes de commutation. De plus, comme l'IGBT n'a pas à gérer le courant de récupération à l'amorçage, ses pertes à l'amorçage sont considérablement réduites. Ces effets combinés permettent de réduire les pertes jusqu'à 67 % par rapport aux IGBT conventionnels et 24 % par rapport aux MOSFET super-connectés (MOSFET SJ) dans les chargeurs de véhicules. Il en résulte un excellent rapport coût-efficacité et une consommation d'énergie réduite dans les applications industrielles et automobiles.
Ces dernières années, les efforts mondiaux déployés pour réduire l'impact environnemental et parvenir à une société neutre en carbone et décarbonée ont entraîné une croissance spectaculaire du marché des véhicules électriques. Parallèlement, la diversification des semi-conducteurs de puissance utilisés dans les circuits d'onduleurs et de convertisseurs des véhicules est en cours, indispensable à la conception de systèmes plus efficaces. Cette diversification s'accompagne d'innovations technologiques tant dans les dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) à très faibles pertes (par exemple, les MOSFET et les diodes Schottky SiC) que dans les dispositifs de puissance conventionnels en silicium (par exemple, les IGBT et les MOSFET à superconnexion).
Afin de proposer des solutions d'alimentation efficaces pour une large gamme d'applications, ROHM se concentre non seulement sur le développement de produits et de technologies pour les dispositifs de puissance SiC de pointe, mais aussi pour les produits en silicium et les circuits de contrôle intégrés.
Disponibilité: mars 2021 (échantillons), décembre 2021 (production en série)
Exemplesd'application
Chargeurs de voiture (chargeurs embarqués),
convertisseurs CC/CC pour véhicules,
onduleurs solaires (conditionneurs de puissance),
systèmes d'alimentation sans interruption (ASI).
Gamme de produits IGBT hybrides [Série RGWxx65C]
En plus de ces nouveaux IGBT hybrides, nous proposons des produits utilisant des FRD en silicium comme diode à flux libre, ainsi que des produits sans diode à flux libre.
Documents d'aide à la conception
Sur le site web de ROHM, vous trouverez également un large éventail de données de conception, y compris des modèles de simulation (SPICE) et des notes d'application sur la conception de circuits de commande, nécessaires à l'intégration et à l'évaluation qui facilitent une mise sur le marché rapide.
