Ces nouveaux dispositifs exploitent la technologie de champ magnétique ultra-mince d'IR, réduisant ainsi les pertes par conduction et par commutation. Fournis dans le même boîtier qu'une diode de récupération douce à faible Qrr et présentant un temps de court-circuit minimal de 10 µs, ils sont optimisés pour les applications industrielles exigeantes.
 
Ces nouveaux IGBT à tranchée 1200 V offrent une tension de seuil (Vce(on)) très faible et des pertes par commutation considérablement réduites, ainsi qu'une efficacité système et une réactivité transitoire accrues pour une fiabilité renforcée, les rendant parfaitement adaptés aux environnements industriels difficiles.
 
Les dispositifs encapsulés couvrent une large plage de courants de 10 à 50 A. Parmi leurs autres avantages clés, citons une température de jonction maximale (Tjmax) de 150 °C, un coefficient de température positif de la Vce(on) facilitant la mise en parallèle et une Vce(on) plus faible réduisant la dissipation de puissance et permettant d'atteindre une densité de puissance plus élevée. Des produits non encapsulés sont également disponibles.

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