Les transistors GaN FET GaNEXUS d'onsemi, disponibles chez Mouser, permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement plus élevées et une densité de puissance accrue. De plus, leur utilisation contribue à réduire le nombre de composants magnétiques dans les applications de conversion de puissance, et ce, pour les plages de tension basse, moyenne, haute et très haute. Ces transistors GaN à haute mobilité électronique (HEMT) en mode d'enrichissement offrent une plage de tension de 40 à 650 V, incluant les transistors GaNEXUS 650 V intelligents avec protection intégrée pour une fiabilité accrue et une intégration système simplifiée. Les solutions GaNEXUS sont conçues pour optimiser la conversion et la gestion de la puissance dans les systèmes d'alimentation modernes, en simplifiant les conceptions complexes, en accélérant la qualification et le développement, en réduisant les besoins en dissipation thermique et en refroidissement, et en optimisant les performances sur l'ensemble de la chaîne d'alimentation.
Dans les systèmes basse et moyenne tension (serveurs d'IA, convertisseurs de bus intermédiaires 48 V, systèmes d'alimentation de secours par batterie et contrôleurs de moteurs), l'utilisation de la technologie GaNEXUS permet de réduire la taille des composants magnétiques, d'offrir une densité de puissance plus élevée, d'améliorer le rendement, les performances thermiques et la stabilité de la commande, et de réduire les pertes de commutation. Dans les applications haute tension (modules de puissance pour l'IA, convertisseurs CC-CC haute tension, correction du facteur de puissance (PFC) et étages de puissance LLC), l'utilisation de GaNEXUS permet de réduire jusqu'à 60 % la taille des composants magnétiques dans les étages CA-CC résonants et haute fréquence, d'augmenter la densité de puissance dans les architectures PFC, LLC et CC-CC haute tension, et de réduire les coûts thermiques et d'exploitation.
