Ce produit est conçu pour diverses applications d'entraînement de moteurs. Par exemple : conversion de 28 V à 48 V pour les vélos électriques, les scooters électriques et les outils électriques ; convertisseurs CC-CC haute densité ; optimiseurs solaires ; et redressement synchrone convertissant le 12 V en 20 V pour les chargeurs, les adaptateurs et les alimentations de téléviseurs.
Le rapport RDS(on) x QGD typique, indicateur des pertes de puissance dans les applications à commutation dure, est 10 fois inférieur à celui des MOSFETs en silicium 80 V. Ceci permet d'atteindre des fréquences de commutation 10 fois supérieures à celles des MOSFETs en silicium sans perte de rendement, et donc une densité de puissance maximale. L'EPC2619 est ainsi idéal pour les applications à commutation dure haute fréquence de 24 V à 48 V, telles que celles utilisées dans les convertisseurs abaisseurs, abaisseurs-élévateurs et élévateurs.
La résistance à l'état passant (RDS(on)) x QOSS typique, qui indique les pertes de puissance dans les applications à commutation douce, est de 87 mΩ·nC, soit deux fois meilleure que celle des MOSFET en silicium de 80 V. L'EPC2619 est ainsi idéal pour les applications à commutation douce, comme le redressement primaire en pont complet des convertisseurs CC-CC à base de LLC.
Carte de développement :
La carte de développement EPC90153 est une carte demi-pont intégrant le transistor FET GaN EPC2619. Elle est conçue pour une tension de fonctionnement maximale de 80 V et un courant de sortie maximal de 20 A. Cette carte a pour but de simplifier l’évaluation pour les concepteurs de systèmes d’alimentation, accélérant ainsi leur mise sur le marché. D’une dimension de 50,8 mm × 50,8 mm (2 pouces × 2 pouces), elle est conçue pour des performances de commutation optimales et comprend tous les composants essentiels à une évaluation aisée.
Prix et disponibilité
L'EPC2619 est proposé au prix de 1,90 $ l'unité en volumes de 2,5 Ku.
La carte de développement EPC90153 est proposée au prix de 200,00 $ l'unité.
Les concepteurs souhaitant remplacer leurs MOSFET en silicium par une solution GaN peuvent utiliser l'outil de référence croisée EPC GaN Power Bench pour trouver un composant de remplacement adapté à leurs conditions de fonctionnement spécifiques. Cet outil est disponible à l'adresse suivante : https://epc-co.com/epc/design-support/part-cross-reference-search
