La sixième génération de modules CSTBT (transistor bipolaire à grille à tranchée à porteurs stockés) réduit la tension de saturation collecteur-émetteur de 15 % par rapport aux modules MPD de cinquième génération et la capacité de grille de 30 à 50 %. De plus, la température de jonction maximale est portée à +175 °C.
Cette nouvelle génération de modules IGBT MPD est compatible avec les modules IGBT de cinquième génération en termes de dimensions, de forme et de brochage. La tension d'isolation a été augmentée à 4 000 V. Les modules de cette nouvelle série sont disponibles en versions CM900DUC-24S (1 200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1 200 V/1 400 A) et CM1000DUC-34SA (1 700 V/1 000 A).
La nouvelle série d'IGBT est entièrement conforme à la directive RoHS.
Les systèmes de production d'électricité se tournent de plus en plus vers les énergies renouvelables, telles que l'éolien et le solaire, afin de limiter les émissions de dioxyde de carbone (CO2) responsables du réchauffement climatique. La sixième génération de la série MPD répond au besoin croissant d'équipements de conversion de puissance robustes et de systèmes de grande puissance (de l'ordre du mégawatt).
