Les composants SiC, associés à la vaste gamme de microcontrôleurs et de solutions analogiques de Microchip, viennent enrichir la famille grandissante des produits SiC fiables. Ces produits répondent aux besoins d'amélioration de l'efficacité, de la robustesse et de la densité de puissance des systèmes pour véhicules électriques et autres applications haute puissance dans les secteurs de l'industrie, de l'aérospatiale et de la défense.
Les MOSFET SiC 700 V et les diodes Schottky SiC 700 V et 1200 V de Microchip viennent compléter sa gamme existante de modules de puissance SiC. Plus de 35 produits discrets, désormais disponibles en grande quantité, bénéficient d'un large éventail de services de développement, d'outils et de conceptions de référence, ainsi que d'une robustesse exceptionnelle, attestée par des tests rigoureux. Cette vaste gamme de puces semi-conductrices, de composants discrets et de modules de puissance SiC est proposée avec différentes tensions et intensités nominales, ainsi que dans divers types de boîtiers.
Les MOSFET SiC et les diodes Schottky de Microchip offrent une commutation plus efficace à hautes fréquences et surpassent les tests de robustesse aux niveaux critiques pour garantir une fiabilité à long terme. Les diodes Schottky SiC de l'entreprise améliorent les performances d'environ 20 % par rapport aux autres diodes SiC lors des tests de robustesse UIS (Unclamped Inductive Switching), qui mesurent la capacité des composants à résister à la dégradation ou à une défaillance prématurée en cas de surtensions en avalanche, lesquelles surviennent lorsqu'une pointe de tension dépasse la tension de claquage du composant.
