Ces dernières années, grâce à ses avantages en matière d'économie d'énergie, le SiC est de plus en plus utilisé dans les applications 1200 V, telles que les véhicules électriques et les équipements industriels. La tendance à une densité de puissance plus élevée entraîne des tensions de système plus élevées et, par conséquent, une demande accrue de produits 1700 V. Cependant, le défi consiste à atteindre la fiabilité requise, ce qui explique pourquoi les IGBT en silicium restent le choix privilégié pour les applications 1700 V.
En réponse, ROHM a atteint une fiabilité élevée pour ses dispositifs 1700 V tout en conservant les faibles pertes de 
ses produits 1200 V les plus populaires, et a réalisé la première commercialisation réussie de modules de puissance 1700 V à base de SiC. Le BSM250D17P2E004 utilise des méthodes de construction et des matériaux de gainage innovants pour prévenir le claquage diélectrique et limiter la montée du courant de fuite. Il en résulte une fiabilité élevée, empêchant le claquage diélectrique même après 1000 heures de test de polarisation à haute température et forte humidité (HV-H3TRB). Ceci garantit une tension de blocage jusqu'à 1700 V, même dans des environnements extrêmes de température et d'humidité.
En intégrant les transistors MOSFET et les diodes Schottky à base de SiC de ROHM, reconnus pour leurs performances, dans un même module et en optimisant sa structure interne, la résistance de conduction est réduite de 10 % par rapport aux autres produits SiC de sa catégorie. Il en résulte des économies d'énergie significatives dans toutes les applications.
À l'avenir, nous continuerons d'élargir notre gamme afin de garantir une utilisation sans problème par nos clients et nous nous efforcerons d'accroître la demande en proposant des cartes d'évaluation qui permettent de tester et de vérifier facilement nos modules SiC.
Caractéristiques clés :
1. Fiabilité maximale en environnements à haute température et forte humidité.
Ce module innovant de 1 700 V utilise une nouvelle méthode d’encapsulation et de nouveaux matériaux de gainage pour protéger la puce, permettant ainsi la première commercialisation réussie d’un module SiC de 1 700 V ayant passé avec succès les tests de fiabilité HV-H3TRB.
Par exemple, lors des tests à haute température et forte humidité, le BSM250D17P2E004 a démontré une fiabilité supérieure, sans aucune défaillance, même sous une tension de 1 360 V pendant plus de 1 000 heures à 85 °C et 85 % d’humidité, contrairement aux modules IGBT classiques qui tombent généralement en panne en moins de 1 000 heures en raison d’une rupture diélectrique. Afin de garantir une fiabilité maximale, ROHM a testé le courant de fuite des modules à différents intervalles sous une tension de blocage maximale de 1 700 V.
2. Une résistance de conduction plus élevée contribue à des économies d'énergie plus importantes.
L'association de diodes Schottky en SiC (de ROHM) et de MOSFET au sein d'un même module permet une réduction de 10 % de la résistance de conduction par rapport aux autres produits de sa catégorie, ce qui contribue à des économies d'énergie plus importantes.
Terminologie
relative aux courants de fuite
: Il s’agit du faible courant qui s’échappe du niveau isolé d’un dispositif de puissance. La suppression des courants de fuite permet d’éviter d’endommager le dispositif et de réduire la consommation d’énergie.
Test de polarisation inverse haute tension en conditions de température et d'humidité élevées (HV-H3TRB) :
ce test évalue la durabilité d'un composant de puissance utilisé dans des environnements à température et humidité élevées. Il est conçu pour détecter les défaillances telles que la rupture diélectrique causée par une augmentation du courant de fuite d'isolation due au champ électrique et à l'humidité.
