S'appuyant sur les capacités de l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement et sur les capacités d'encapsulation avancées des installations de Rohm, le module demi-pont SiC intègre des MOSFET SiC de type tranchée produits en série et des SBD SiC dans le même espace que les modules précédents.
ROHM a été pionnière dans le développement de modules de puissance commerciaux équipés de MOSFET et de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC). Elle a notamment produit en série avec succès le premier MOSFET à tranchée du secteur grâce à une structure exclusive, garantissant ainsi une fiabilité à long terme. Ce nouveau module intègre des MOSFET dotés d'une structure UMOS avancée, éliminant la région JFET et optimisant les caractéristiques du SiC. Il offre une résistance drain-source minimale et des performances de commutation à haute vitesse. De plus, grâce à la tension directe (Vf) extrêmement faible et à la rapidité de récupération des diodes Schottky en carbure de silicium intégrées, les pertes de récupération (Err) sont quasi nulles.
De ce fait, le module de commutation affiche des pertes inférieures de 77 % à celles des modules IGBT classiques et de 42 % à celles des modules SiC planaires grâce à une structure DMOS-SiC de deuxième génération. Ceci permet non seulement un fonctionnement à haute fréquence, mais contribue également à la miniaturisation des systèmes de refroidissement et des composants périphériques, ouvrant ainsi la voie à des économies d'énergie accrues et à une miniaturisation du produit final.
Le nouveau module SiC est désormais disponible.
