Basés sur la technologie IGBT Trench PT exclusive de Vishay, les modèles VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S et VS-GP400TD60S offrent des tensions collecteur-émetteur extrêmement faibles, de l'ordre de 1,10 V, et une consommation d'énergie à l'extinction de seulement 11 mJ pour les étages d'onduleurs de sortie.
Grâce à leur conception Trench PT, ces composants Vishay Semiconductors sont plus compacts que les IGBT planaires, offrant ainsi aux concepteurs une densité de courant plus élevée et une résistance thermique jonction-boîtier plus faible, sans compromis sur les performances. La faible tension collecteur-émetteur permet de réduire considérablement les pertes par conduction, tandis que la consommation d'énergie à l'extinction est 50 % inférieure à celle des composants de la génération précédente, ce qui améliore l'efficacité et la fiabilité à long terme.
Les IGBT demi-pont VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S et VS-GP400TD60S intègrent des IGBT Trench PT avec des diodes antiparallèles HEXFRED® et des diodes FRED PT® dans un boîtier INT-A-PAK simple ou double, avec un profil ultra-compact de 17 mm. Le module à un seul interrupteur VS-GP250SA60S, en boîtier SOT-227, présente une inductance parasite très faible (≤ 5 nH typique) et est homologué UL E78996.
Conformes à la directive RoHS, ces modules fonctionnent à des fréquences jusqu'à 1 kHz, supportent des tensions collecteur-émetteur de 600 V et des courants de collecteur continus de 100 A à 400 A. Ils peuvent être montés directement sur des dissipateurs thermiques et offrent un faible niveau d'interférences électromagnétiques (EMI).

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