Ces modules haute densité de puissance trouvent principalement des applications dans les variateurs industriels et les équipements de commande de moteurs, les onduleurs pour les centrales de production d'énergie renouvelable et les convertisseurs/onduleurs nécessaires à l'infrastructure ferroviaire électrique.
La technologie d'encapsulation exclusive de Toshiba est un élément clé de l'obtention des performances exceptionnelles de ses nouveaux modules MOSFET SiC. Les boîtiers iXPLV (boîtier flexible intelligent basse tension) utilisés dans ces modules reposent sur une technologie avancée de connexion interne par frittage d'argent, garantissant un rendement élevé. Ils supportent des températures de canal jusqu'à 175 °C et assurent une isolation jusqu'à 6 000 V RMS. Les pertes de commutation en conduction et en blocage sont respectivement de 250 mJ et 240 mJ, tandis que l'inductance parasite typique n'est que de 12 nH.
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