Les applications cibles incluent les systèmes d'alimentation électrique (EPS), les convertisseurs CC-CC et les commutateurs de charge.
Chaque composant intègre une puce utilisant le procédé U-MOSVIII-H dans un boîtier TO-220SM(W) dont la résistance interne est minimisée grâce à un nouveau connecteur interne en cuivre. Il en résulte une résistance à l'état passant (RDS(on)) parmi les plus faibles du marché, mesurée à VGS ₍ on
_{= 10 V. RDS(on) = 0,78 mΩ (typique) pour le TK200F04N1L et RDS} ( typique) pour le TK160F10N1.
) = _{2,0 mΩ}
deux composants présentent une faible résistance thermique Rth ₍ ch-c) = 0,4 °C/W (max) et un rapport de température de canal maximal de 175 °C.
Ces nouveaux MOSFET offrent un rendement maximal et une dissipation thermique minimale. De plus, le procédé U-MOSVIII-H améliore la suppression de l'ondulation de commutation par rapport à la génération précédente, contribuant ainsi à la réduction des interférences électromagnétiques (EMI) dans les applications.
Les TK160F10N1 et TK200F04N1L répondront aux exigences de qualification automobile AEC-Q101.

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