Ces dernières années, la demande croissante d'efficacité et de densité de puissance favorise l'adoption de tensions d'entrée plus élevées dans les applications industrielles et grand public, tout en exigeant que les MOSFET présentent non seulement une faible résistance à la conduction, mais aussi des tensions élevées non perturbatrices.
Il existe deux types de MOSFET : à canal N et à canal P. Si les MOSFET à canal N offrent généralement un meilleur rendement lorsqu'ils sont utilisés en tension de seuil, ils nécessitent une tension de grille supérieure à la tension d'entrée, ce qui complexifie la conception du circuit. Les MOSFET à canal P, quant à eux, peuvent être commandés avec une tension de grille inférieure à la tension d'entrée, simplifiant ainsi considérablement la conception du circuit et réduisant les contraintes de conception.
Dans ce contexte, ROHM a développé des MOSFET à canal P à faible résistance de conduction -40 V/-60 V compatibles avec une entrée 24 V, grâce à un procédé de fabrication de 5e génération avancé et amélioré. S'appuyant sur la structure éprouvée des MOSFET à canal P de ROHM, ces nouveaux produits tirent parti de cette technologie de fabrication optimisée pour atteindre la plus faible résistance de conduction par unité de surface de leur catégorie. Cela se traduit par une résistance de conduction inférieure de 62 % pour les nouveaux produits -40 V et de 52 % pour les nouveaux produits -60 V, par rapport aux produits conventionnels.
Parallèlement, la qualité est améliorée grâce à l'optimisation de la structure du dispositif et à l'adoption d'une nouvelle conception qui atténue la concentration du champ électrique. Il en résulte une fiabilité élevée et une faible résistance de conduction (ces deux grandeurs étant généralement compensatoires). Ces solutions contribuent à un fonctionnement stable et durable des équipements industriels exigeant une qualité exceptionnelle.
ROHM poursuit le développement d'une gamme de boîtiers pour une grande variété d'applications, notamment des produits optimisés pour le secteur automobile. Outre ces MOSFET à canal P de 5e génération, nous développons des MOSFET à canal N plus performants afin de renforcer notre offre pour les stations de base 5G et les serveurs de centres de données, où la demande est en constante augmentation. Ces produits contribuent à simplifier la conception des applications et à améliorer leur efficacité et leur fiabilité.
Gamme de produits
Disponibilité : en production de masse
Exemples d'application
: - Interrupteurs de gestion de l'énergie et moteurs de ventilateurs pour équipements industriels, par exemple dans les systèmes d'automatisation d'usine, de robotique et de climatisation.
- Interrupteurs de gestion de l'énergie et moteurs de ventilateurs pour équipements grand public.
