Ce nouveau composant convient à une large gamme d'applications, telles que les alimentations à découpage pour équipements industriels, notamment les stations de base de communication et les centres de données.

Le nouveau MOSFET TPH9R00CQH présente une très faible résistance à l'état passant drain-source (RDS(ON)) de seulement 9,0 mΩ (max. à VGS = 10 V). Cela représente une réduction d'environ 42 % par rapport au produit 150 V existant (TPH1500CNH), basé sur le procédé U-MOSVIII-H de dernière génération. Les principaux facteurs de mérite (FoM), notamment RDS(ON) x QSW et RDS(ON) x QOSS, ont été réduits d'environ 20 % et 28 % respectivement, améliorant ainsi les performances.

Les caractéristiques de charge ont été améliorées grâce à une optimisation poussée de la structure du composant. Avec une charge de grille totale (Qg) de seulement 44 nC et une charge de commutation de grille (QSW) de 11,7 nC, ce composant offre d'excellentes performances, en particulier pour les applications à haute vitesse.

Le nouveau TPH9R00CQH offre deux options de boîtier de dispositif à montage en surface (SMD) : SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) et SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm), qui peuvent être sélectionnées pour répondre aux besoins de toute application.

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