Les AUIRFN8459 et AUIRFN8458 sont les premiers d'une famille de MOSFET de puissance doubles PQFN 5x6 mm de qualité automobile, basés sur la technologie de tranchée COOLiRFET™ 40 V la plus avancée d'IR. L'AUIRFN8459 atteint une résistance à l'état passant (Rds(on)) ultra-faible de 5,9 mΩ par canal et peut supporter un courant élevé de 50 A.

Ces nouveaux dispositifs PQFN doubles COOLiRFET™ 5x6 mm offrent également un faible chemin thermique vers le circuit imprimé et des performances thermiques nettement supérieures à celles d'un boîtier SO-8, ce qui se traduit par un rendement accru, une meilleure densité de puissance et des économies sur le coût global du système.
 
Les MOSFET automobiles d'IR sont soumis à des tests de moyenne dynamique et statique, ainsi qu'à une inspection visuelle automatisée à 100 % des plaquettes, dans le cadre de l'initiative qualité automobile d'IR, qui vise le zéro défaut. L'homologation AEC-Q101 exige une variation de Rds(on) inférieure à 20 % après 1 000 cycles de test de température.
 
Le nouvel appareil est homologué selon les normes AEC-Q101 et comporte une liste de matériaux respectueux de l'environnement, sans plomb et conformes à la directive RoHS.

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