Ils trouveront également des applications dans les énergies renouvelables, comme les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels, tels que ceux utilisés pour recharger les véhicules électriques (VE).

Les nouveaux TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C sont basés sur le procédé SiC avancé de troisième génération de Toshiba, qui optimise les
structures cellulaires utilisées dans les dispositifs de deuxième génération.

Grâce à cette avancée, le FoM calculé comme le produit de la résistance drain-source (RDS(on)) et de la charge drain-grille (Qg) pour représenter les pertes statiques et dynamiques s'est amélioré d'environ 80 %.

Comme les dispositifs précédents, les nouveaux MOSFET de troisième génération comprennent une barrière Schottky SiC intégrée avec une faible tension directe (VF) de -1,35 V (typique) pour supprimer la gigue RDS(on), améliorant ainsi la fiabilité.

Ces nouveaux dispositifs peuvent supporter des courants (ID) jusqu'à 100 A et présentent des valeurs de RDS(on) aussi faibles que 15 mΩ. Tous les dispositifs sont conditionnés dans un boîtier TO-247 standard.