Ces composants conviennent à une large gamme d'applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) pour serveurs, centres de données et équipements de communication, les alimentations sans interruption (UPS), les bornes de recharge pour véhicules électriques et les conditionneurs de puissance pour onduleurs photovoltaïques (PV).

Comparés aux boîtiers à broches tels que les TO-247 et TO-247-4L(X), ces nouveaux dispositifs présentent un volume réduit de plus de 80 %. Cette miniaturisation significative contribue directement à l'amélioration de la densité de puissance des équipements. De plus, la possibilité de montage en surface du boîtier TOLL permet l'utilisation de composants d'impédance parasite plus petits, tels que des résistances et des inductances, ce qui réduit les pertes de commutation.

Le boîtier TOLL est un boîtier à 9 broches et 4 bornes conçu pour faciliter l'utilisation d'une connexion Kelvin pour sa borne de source de signal de commande de grille. Cette conception avancée minimise l'influence de l'inductance dans la broche de source à l'intérieur du boîtier, permettant ainsi d'obtenir des performances de commutation à haute vitesse. Par exemple, le TW048U65C présente une réduction remarquable des pertes à l'état passant (Eon) d'environ 55 % et des pertes à l'état bloqué (Eoff) d'environ 25 % par rapport au produit Toshiba équivalent en boîtier TO-247 sans connexion Kelvin. Cette amélioration contribue directement à la réduction des pertes de puissance dans les équipements.

Les MOSFET SiC de troisième génération de Toshiba offrent une résistance à la dérive et un rapport de résistance de canal optimisés, ce qui se traduit par une bonne dépendance en température de la résistance drain-source (RDS(on)) sur une large plage de conditions de fonctionnement. Ils présentent également un faible produit RDS(on) x charge grille-drain (Qgd), un facteur de mérite crucial, améliorant encore leurs performances. Toutes les variantes présentent une tension drain-source maximale absolue (VDSS) de 650 V et une large plage de tension grille-source (VGSS) de -10 V à 25 V, assurant la compatibilité avec divers circuits de commande de grille et simplifiant la conception des circuits. La tension de seuil de grille (Vth) de ces dispositifs se situe généralement entre 3,0 V et 5,0 V, ce qui simplifie la conception des circuits. De plus, le courant de drain élevé (ID) garantit un fonctionnement robuste même dans des conditions exigeantes, améliorant ainsi la fiabilité du système.