ROHM produit actuellement en série les premiers MOSFET SiC à tranchée du marché. La nouvelle génération de MOSFET SiC de ROHM réduit la résistance à l'état passant de 50 % sur toute la plage de températures et la capacité d'entrée de 35 % pour une puce de même taille, comparée aux MOSFET SiC à grille plate. Leurs performances optimales sont obtenues grâce à la combinaison de faibles pertes et d'une commutation rapide. Cette dernière permet de réduire la taille des composants périphériques, tels que les inductances et les condensateurs, grâce à une fréquence de commutation plus élevée. Il en résulte une amélioration du rendement de conversion, contribuant à la miniaturisation, à la réduction du poids et à l'augmentation de l'efficacité énergétique. Les nouveaux MOSFET SiC de la série SCT3080KL 1200 V en boîtier TO-247 en sont un parfait exemple.
ROHM proposera également des MOSFET SiC homologués AECQ basés sur la série planaire de 2e génération.
Diodes Schottky SiC de troisième génération :
La troisième génération de diodes Schottky SiC offre la tension directe (VF) et le courant de fuite inverse (I<sub>R</sub>) les plus faibles sur toute la plage de températures parmi toutes les diodes Schottky SiC actuellement disponibles. Elles se caractérisent également par leur capacité à supporter des surintensités élevées, ce qui les rend idéales pour les applications d'alimentation. Outre les dispositifs TO220AC 650 V/6, 8 et 10 A récemment annoncés, ROHM ajoutera à cette famille les dispositifs D2PAK et TO220FM, qui proposent également des options de courant plus faibles de 2 A et 4 A.
Les diodes SiC offrent un temps de recouvrement inverse extrêmement court par rapport aux dispositifs à base de silicium, ce qui les rend idéales pour la commutation à haute vitesse.
Globalement, ces caractéristiques contribuent à la tendance actuelle à l'amélioration de l'efficacité, de la densité de puissance et de la robustesse des conceptions.
SiC
, incluant des modules hacheurs pour convertisseurs, intègrent des MOSFET SiC à tranchée et des diodes Schottky SiC produites en série. Outre les modules 2-en-1, des modules hacheurs 1200 V/120 A, 180 A et 300 A sont disponibles pour répondre aux besoins du marché. ROHM travaille également sur un nouveau module de puissance à inductance parasite réduite.
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