Les nouveaux dispositifs offrent une faible résistance à la conduite (RDS(on)) pour les applications à charge élevée, notamment la direction assistée (EPS), les systèmes de freinage et autres charges élevées dans les véhicules équipés de moteurs à combustion interne (ICE) et de micro-hybrides.
La famille de 22 nouveaux MOSFET canal N 40 V, conformes à la norme AEC-Q101, intègre la technologie de tranchée Gen12.7 et offre une RDS(on) ultra-faible dans les boîtiers D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK et TO-220. Le modèle AUIRFS8409-7P, en boîtier D2Pak-7P, affiche une RDS(on) maximale de seulement 0,75 mΩ à 10 Vgs, avec un courant nominal jusqu'à 240 A. Ces nouveaux composants offrent de faibles pertes par conduction et d'excellentes performances en avalanche, pour une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité accrues. Grâce à ces caractéristiques, de nombreuses applications utilisant ces nouveaux dispositifs COOLiRFET™ fonctionnent à des températures plus basses qu'avec des MOSFET plus avancés.
IR s'engage à promouvoir la qualité dans l'industrie automobile avec pour objectif le zéro défaut. Ceci est réalisé grâce à des tests dynamiques et statiques dans le cadre du contrôle qualité des composants, ainsi qu'à une inspection visuelle automatisée de 100 % des composants au niveau de la plaquette. Les nouveaux dispositifs sont certifiés AEC-Q101, ce qui exige une variation maximale de 20 % de la résistance à l'état passant (RDS(on)) après 1 000 cycles de température. De plus, ils sont respectueux de l'environnement et composés de matériaux sans plomb, conformément à la directive RoHS.
