Il s'agit notamment des moteurs de véhicules électriques tels que les chariots élévateurs, les scooters électriques et les dispositifs de mobilité, ainsi que des moteurs industriels de forte puissance.
Lorsqu'on connecte deux MOSFET ou plus en parallèle pour gérer des courants élevés et réduire les pertes par conduction, il peut être difficile pour les concepteurs de garantir une répartition équitable du courant de charge entre les différents composants lors des phases d'ouverture et de fermeture. Les MOSFET présentant la tension VGS(th) la plus faible s'activent en premier, ce qui engendre des contraintes thermiques plus importantes et accélère la défaillance. Afin de disposer d'une marge de sécurité suffisante, les ingénieurs surdimensionnent souvent les MOSFET utilisés dans leurs applications finales. Cette approche, coûteuse et chronophage, nécessite souvent des tests supplémentaires, mais n'offre aucune garantie quant au comportement des composants sous des courants de charge élevés (plusieurs dizaines d'ampères). Une autre solution consiste à commander des composants auprès de fournisseurs respectant scrupuleusement les spécifications, mais cela peut encore augmenter le coût de l'application finale.
Les caractéristiques des ASFET PSMN1R9-80SSJ et PSMN2R3-100SSJ de Nexperia permettent aux concepteurs de s'affranchir de ces deux approches, grâce à une meilleure répartition dynamique du courant. Ces commutateurs présentent une différence de courant réduite de 50 % entre les dispositifs en parallèle (pour des courants jusqu'à 50 A par dispositif) lors de la commutation marche/arrêt, ainsi qu'une plage de tension VGS(th) réduite de moitié (0,6 V min.-max.). Cet avantage, combiné à une faible résistance RDS(on) de 1,9 mΩ ou 2,3 mΩ, contribue à un rendement élevé dans les applications de commutation de puissance.
Les nouveaux transistors ASFET sont disponibles dans le boîtier LFPAK88 robuste et compact de 8 mm x 8 mm avec clip en cuivre et offrent une plage de températures de fonctionnement de -55 °C à +175 °C.
