Ces dernières années, la tendance croissante à la conservation de l'énergie dans tous les secteurs a accru la demande en semi-conducteurs de puissance à haut rendement énergétique, notamment pour les applications industrielles telles que les onduleurs et les équipements de production. La plupart des alimentations auxiliaires, qui fournissent les tensions de commande aux circuits d'alimentation, aux circuits intégrés de contrôle et à divers systèmes complémentaires, utilisent des MOSFET en silicium à haute tension de claquage (supérieure à 1 000 V). Cependant, ces MOSFET haute tension présentent des pertes par conduction importantes (générant souvent une chaleur excessive) et posent des problèmes liés à la surface requise et au nombre de composants externes, ce qui freine la miniaturisation des systèmes. Pour répondre à ce besoin, ROHM a développé des MOSFET en carbure de silicium (SiC) à faibles pertes et des circuits intégrés de contrôle qui optimisent les performances et contribuent à la miniaturisation du produit final.
Le SCT2H12NZ offre la tension de claquage élevée requise par les alimentations auxiliaires des équipements industriels. Les pertes par conduction sont réduites d'un facteur 8 par rapport aux MOSFET en silicium classiques, ce qui améliore l'efficacité énergétique. De plus, associé au circuit intégré de commande de convertisseur AC/DC ROHM spécialement conçu pour piloter les MOSFET SiC (BD7682FJ-LB), il permet d'optimiser les performances et d'améliorer le rendement jusqu'à 6 %. Ceci autorise l'utilisation de composants périphériques plus petits, contribuant ainsi à la miniaturisation des systèmes.
Caractéristiques principales :
1. Optimisé pour les alimentations auxiliaires d'équipements industriels.
Comparé aux MOSFETs au silicium 1 500 V utilisés dans les alimentations auxiliaires d'équipements industriels, le SCT2H12NZ offre une tension de claquage plus élevée (1 700 V) et une résistance à l'état passant huit fois plus faible (1,15 Ω). De plus, son boîtier TO-3PFM compact garantit la distance de fuite (distance mesurée le long de la surface du matériau isolant) requise par les équipements industriels. ROHM propose également une version à montage en surface (TO268-2L) offrant la distance de fuite appropriée.
2. Amélioration de l'efficacité grâce à l'utilisation du circuit intégré dédié de ROHM.
L'association de ce nouveau MOSFET SiC avec le circuit intégré de commande de convertisseur AC/DC de ROHM (BD7682FJ-LB), spécialement conçu pour les pilotes de MOSFET SiC, optimise les performances et augmente l'efficacité jusqu'à 6 %. La dissipation thermique est également réduite, minimisant ainsi les mesures de dissipation et permettant l'utilisation de composants plus compacts.
3. Évaluation simplifiée grâce à la carte d'évaluation ROHM pour dispositifs SiC.
Fabricant de semi-conducteurs de premier plan, ROHM propose une large gamme de circuits intégrés optimisés pour divers dispositifs SiC. ROHM commercialise également des cartes et des kits d'évaluation permettant une évaluation et un développement immédiats. Outre la carte BD7682FJ-LB-EVK-402, une carte de commande de grille est disponible pour évaluer le module SiC ROHM complet, ainsi qu'un module d'amortissement. Pour plus d'informations, consultez la page d'assistance dédiée de ROHM.
Applications
Alimentations auxiliaires pour équipements industriels haute tension (400 VCA) tels que l'automatisation industrielle (robots), les onduleurs solaires et industriels et les dispositifs de fabrication/test.
