Le nouveau rapport technique détaille les performances supérieures des transistors HEMT PowiGaN 1250 V de Power Integrations, leaders du secteur. Il met en avant leur fiabilité éprouvée sur le terrain et leur capacité à répondre aux exigences de densité de puissance et de rendement (> 98 %) de l'architecture 800 V CC. De plus, le document démontre qu'un seul commutateur PowiGaN 1250 V offre une densité de puissance et un rendement supérieurs à ceux des transistors GaN FET empilés 650 V et des dispositifs SiC 1200 V concurrents.
Le rapport technique met également en avant les circuits intégrés InnoMux™2-EP de Power Integrations comme une solution unique pour les alimentations auxiliaires dans les centres de données 800 V CC. Le commutateur PowiGaN 1 700 V intégré au dispositif InnoMux-2 supporte une tension d'entrée de 1 000 V CC, tandis que son fonctionnement SR ZVS offre un rendement supérieur à 90,3 % par rapport au système 12 V dans une architecture 800 V CC sans ventilateur et refroidie par liquide.
« Face à la demande croissante en énergie liée à l'IA, le passage à une alimentation de 800 V CC simplifie la conception des racks, optimise l'espace et réduit la consommation de cuivre », explique Roland Saint-Pierre, vice-président du développement produit chez Power Integrations. « Compte tenu de la demande croissante en énergie des racks, nous sommes convaincus que les dispositifs PowiGaN 1 250 V et 1 700 V constituent le choix idéal pour les alimentations principales et auxiliaires, car ils offrent l'efficacité, la fiabilité et la densité de puissance requises dans les data centers 800 V CC. ».
Power Integrations, le seul fournisseur de commutateurs GaN haute tension 1250 V et 1700 V produits en masse, a lancé ses premiers circuits intégrés GaN en 2018 et compte actuellement plus de 175 millions de commutateurs GaN utilisés dans des produits finaux allant des chargeurs rapides aux centres de données et aux véhicules électriques.
