Les circuits intégrés de commutation RF, fabriqués selon le nouveau procédé TaRF8 (également appelé procédé SP12T ) [1] , présentent les pertes d'insertion les plus faibles [2] de leur catégorie [3] sur le marché. Les premières livraisons d'échantillons de circuits intégrés de commutation RF SP12T, fabriqués selon ce nouveau procédé, débuteront en janvier 2016.
Conçu pour les smartphones, le circuit intégré de commutation RF SP12T intègre un contrôleur MIPI-RFFE [4] pour les applications mobiles. Il est compatible avec les appareils conformes aux normes 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE et LTE-Advanced [5].
Les produits utilisant le nouveau procédé frontal CMOS SOI TaRF8 [6] atteignent la plus faible perte d'insertion de leur catégorie, à 0,32 dB à 2,7 GHz. Par rapport aux produits utilisant le procédé TaRF6 actuel de Toshiba, la perte d'insertion est améliorée de 0,1 dB tout en conservant le même niveau de distorsion.
Face à la tendance croissante des transferts de données à haut débit et à haute capacité dans les communications mobiles, ainsi qu'aux circuits de commutation RF intégrés utilisés dans les appareils mobiles et les smartphones, la prise en charge multiport et des performances RF améliorées sont indispensables. La réduction des pertes d'insertion est un facteur particulièrement important, car elle diminue les pertes de puissance de transmission RF et contribue ainsi à prolonger l'autonomie des appareils mobiles.
Toshiba développe des circuits intégrés de commutation RF haute performance grâce à une fabrication interne et à la technologie CMOS SOI, adaptée à l'intégration de circuits analogiques et numériques. Maîtrisant l'ensemble du processus de production, du développement des procédés RF à la conception et à la fabrication des puces de commutation RF, Toshiba améliore rapidement sa technologie CMOS SOI en s'appuyant sur les retours d'expérience issus du développement de ses propres circuits intégrés de commutation RF. Cette approche de fabricant de dispositifs intégrés (IDM) permet à Toshiba de mettre rapidement en place de nouvelles technologies de procédés adaptées à ses produits existants et de commercialiser des produits fabriqués avec les technologies les plus récentes.
Toshiba continuera d'améliorer les performances de sa technologie de procédé TarfSOI et s'efforcera de répondre aux besoins des clients et du marché en matière de circuits intégrés de commutation RF en lançant des produits de nouvelle génération avant les autres fabricants.
Notes :
[1] Commutateur unipolaire à douze positions.
[2] Marché des circuits intégrés de commutation RF au 20 novembre 2015. Étude Toshiba.
[3] Perte de puissance lors de la transmission d'un signal RF à travers le commutateur, exprimée en décibels (dB).
[4] Spécification d'interface de bus série pour le contrôle des composants RF des appareils mobiles, normalisée par le groupe de travail Frontend RF (RFFE) de l'alliance MIPI (Mobile Industry Processor Interface).
[5] Normes de communication mobile spécifiées par le 3GPP (3rd Generation Partnership Project).
[6] Technologie de réduction de la capacité parasite par l'utilisation d'une couche isolante sous le canal du MOSFET. SOI : silicium sur isolant
* TarfSOI est une marque déposée de Toshiba Corporation.
