ROHM Semiconductor a annoncé sa technologie de troisième génération d'IGBT 650 V. Grâce à sa conception avancée et à ses caractéristiques avantageuses, elle constitue une solution idéale pour une commutation fluide et très efficace dans les applications industrielles et électroménagers.Les semi-conducteurs de puissance, notamment les IGBT, sont de plus en plus utilisés dans de nombreuses applications haute tension. Ces composants doivent offrir un rendement et une fiabilité élevés tout en minimisant les pertes. Fort de sa gamme existante d'IGBT à courant élevé et d'IGBT à tension de saturation réduite et à commutation plus rapide, ROHM présente sa troisième génération d'IGBT haute efficacité. Ces nouveaux dispositifs bénéficient d'une structure de plaquette plus fine, de technologies d'atténuation de champ et d'une structure de grille à tranchée exclusive, pour des performances accrues et pour répondre à la demande croissante de commutation haute fréquence.
Les nouveaux IGBT 650 V de 3e génération de ROHM, basés sur une structure d'atténuation de champ avancée, présentent un gradient de concentration de porteurs plus faible dans la zone de dérive, améliorant ainsi la distribution des porteurs. Ceci permet de réduire la tension de saturation et d'augmenter la vitesse de commutation, offrant un excellent compromis entre tension de saturation et pertes de coupure, contrairement aux solutions conventionnelles.
ROHM a également mis en œuvre une structure de grille à tranchée sophistiquée qui réduit la charge et la capacité de la grille. L'optimisation du dopage et de la structure cellulaire, ainsi qu'une épaisseur de plaquette réduite de 15 % par rapport à la deuxième génération, diminuent considérablement les pertes globales du dispositif. Une concentration de porteurs plus faible pendant la phase de conduction entraîne une réduction des pertes de coupure. De plus, les nouveaux dispositifs offrent une commutation fluide, même avec une faible résistance de grille externe. Les résultats de mesure indiquent de faibles niveaux de bruit, même à des vitesses de commutation élevées. La miniaturisation et les caractéristiques améliorées réduisent la tension de saturation de 6 % et les pertes de coupure de 20 % par rapport à la deuxième génération, améliorant ainsi les performances globales du système.
La gamme d'IGBT 650 V de 3e génération, comprenant les modèles 30/50/80 A de la série RGTV et les modèles 30/40/50 A de la série RGW, est disponible en deux boîtiers (TO-247N et TO-3PFM) et en deux séries optimisées. La série RGTV est conçue pour les applications exigeant une protection avancée contre les courts-circuits, tandis que la série RGW est spécifiquement adaptée aux convertisseurs, offrant une faible charge et capacité de grille, ainsi que des pertes de commutation extrêmement faibles. Les deux séries intègrent également une diode de récupération rapide et stable pour un rendement optimal.
