Le transistor IRL6283M présente une résistance à l'état passant (Rds(on)) de seulement 500 µΩ (typique) dans un boîtier DirectFET® Medium Can de 30 mm², réduisant ainsi considérablement les pertes par conduction. Il est donc idéal pour les applications de fusibles électroniques (eFuse) et de joints toriques actifs. Ce nouveau composant peut fonctionner sous des tensions d'alimentation de 3,3 V, 5 V ou 12 V et réduit les pertes de 15 % à 20 A par rapport aux meilleurs transistors PQFN du marché dans le même format de 30 mm², permettant ainsi aux concepteurs de réduire le nombre de composants dans les applications à courant élevé.
 
À l'instar de toute la famille DirectFET®, l'IRL6283M permet un refroidissement par le dessus pour améliorer les performances électriques et thermiques, ainsi qu'une connexion sans soudure pour une fiabilité accrue. De plus, le boîtier DirectFET® est conforme à la directive RoHS et sa composition entièrement sans plomb est parfaitement adaptée aux conceptions nécessitant une longue durée de vie. D'autres boîtiers haute performance sur le marché intègrent une connexion de puce semi-conductrice contenant du plomb, sous une exemption RoHS 7(a) qui expire en 2016.
 
La famille StrongIRFET™ d'IR comprend également des dispositifs PQFN standard dans des boîtiers écologiques sans plomb avec une nomenclature conforme à la norme RoHS.

Pour plus d'informations ou un devis