Toshiba Corporation a enrichi sa gamme d'IGBT discrets de 6e génération, robustes et destinés aux applications générales et industrielles, avec l'ajout du « GT50J342 », un composant en boîtier TO-3P(N) présentant un courant IC de 55 A et une tension VCES de 600 V. Cette nouvelle série garantit une tension VCE(sat) de 1,5 V (typique) sous un courant IC de 50 A et un temps de court-circuit (tsc) de 5 µs (température de jonction Tj ≤ 150 °C) et convient parfaitement aux variateurs de fréquence et aux entraînements de moteurs.
Applications : Onduleurs, groupes motopropulseurs à usage général
Caractéristiques principales
: 1. Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,5 V (typique) à IC = 50 A
2. Température de jonction élevée : Tj = 175 °C
3. Durée de court-circuit admissible : tsc = 5 µs (Tj ≤ 150 °C)
4. Intègre des diodes à récupération rapide (FRD)
Papier : 150,00 € (TVA incluse)
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