La simulation est un outil très précieux pour les concepteurs, car elle réduit le nombre de prototypes nécessaires, évitant ainsi les répétitions et augmentant l'efficacité du développement tout en réduisant le temps, les coûts et les risques globaux.
Dans le secteur exigeant de l'électronique de puissance et de la conception automobile, il existe une forte demande pour des prédictions préliminaires des performances en matière d'interférences électromagnétiques (IEM) et de dissipation de puissance globale du système. Ceci engendre une demande croissante de modèles SPICE pour les semi-conducteurs de puissance, capables de prédire les rendements de conversion de puissance, les IEM et d'autres paramètres pertinents.
Ces nouveaux modèles SPICE G2 pour les composants de puissance discrets sont créés à l'aide du format de macro-modèle, qui combine plusieurs modèles compacts adaptés à la structure du composant. Ils représentent les caractéristiques électriques à l'aide de quelques éléments non linéaires et d'une fonction continue arbitraire. Grâce à cette approche, les simulations de commutation sont plus précises et se rapprochent davantage des mesures réelles, notamment en améliorant la reproductibilité des caractéristiques du domaine des courants élevés de la courbe ID-VDS, y compris les caractéristiques de la capacité parasite en fonction de la tension.
Disponibles sur le site web de Toshiba, les modèles G2 couvrent les MOSFET basse tension (12 V à 300 V) et les MOSFET moyenne et haute tension (400 V à 900 V). Des versions sont disponibles pour PSpice et LTSpice.
