Ce composant offre un gain de puissance typique de 18 dB à 2 675 MHz et un rendement de 54,1 %. Le transistor A3G26D055N se caractérise également par des impédances terminales élevées et une magnitude du vecteur d'erreur (EVM) fortement linéarisée, ce qui en fait un choix optimal pour les systèmes d'antennes actives MIMO massifs des stations de base 5G. Parmi les applications du transistor NXP A3G26D055N, on peut citer les technologies MIMO massif 5G, W-CDMA et LTE, les stations de base et contrôleurs macrocellulaires, l'étage final des petites cellules, les antennes actives et les télécommunications générales.

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