Les transistors GS-065-060 sont des transistors de puissance à enrichissement de 650 V, nécessitant une tension de commande de grille simple de 0 V à 6 V. Ils offrent une fréquence de commutation élevée, supérieure à 10 MHz, avec des temps de montée et de descente rapides et contrôlables. Ils sont encapsulés dans un boîtier GaNPX® à faible inductance et faible résistance thermique. Ces transistors présentent également une conduction inverse et une perte de récupération inverse nulle, garantissant ainsi des performances optimales pour les applications haute puissance exigeantes. Les transistors GS-065-060 sont dotés de deux plots de grille pour une conception de carte optimisée et sont conformes à la directive RoHS 3.

Plus d'informations : https://www.mouser.es/new/gan-systems/gan-systems-650v-transistors/