L'expédition d'échantillons de produits utilisant la nouvelle technologie de fabrication commence aujourd'hui.
La technologie BiCS repose sur un procédé d'empilement de pointe à 48 couches, qui améliore la fiabilité en écriture/effacement et augmente la vitesse d'écriture, la rendant ainsi adaptée à diverses applications, notamment les disques SSD.
Depuis sa première annonce mondiale concernant la technologie de mémoire flash 3D[3], Toshiba poursuit son développement afin d'optimiser la production en série. Pour répondre à la croissance du marché en 2016 et au-delà, Toshiba encourage activement la migration vers la mémoire flash 3D en déployant une gamme de produits axée sur les applications haute capacité, telles que les SSD.
L'entreprise se prépare également au lancement de la production en série dans sa nouvelle usine Fab2, située sur le site de Yokkaichi Operations et dédiée à la production de mémoire flash NAND. La construction de Fab2 est en cours et sa mise en service est prévue pour le premier semestre 2016, afin de répondre à la demande croissante en mémoire flash.
Informations complémentaires ou devis
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[1] Au 26 mars 2015. Étude Toshiba.
[2] Structure de cellules de mémoire flash empilées verticalement sur un plan de silicium, offrant une densité nettement supérieure à celle de la mémoire flash NAND classique, où les cellules sont disposées à plat sur un plan de silicium.
[3] Présentation Toshiba, 12 juin 2007.
