Cette nouvelle famille de dispositifs, basée sur la technologie planaire IR éprouvée, comprend des MOSFET canal N standard à commande de grille de 55 V et 150 V, ainsi que des MOSFET canal P standard à commande de grille de -55 V et -100 V, adaptés aux applications de commutation à haute tension ne nécessitant pas de pompe de charge pour la commande de grille. Les MOSFET canal N à commande de grille à niveau logique 30 V, 55 V et 100 V simplifient les exigences de commande de grille et contribuent à réduire l'encombrement sur la carte et le nombre de composants. Tous ces nouveaux dispositifs sont optimisés pour une faible résistance à l'état passant (RDS(on)).

Ces dispositifs, homologués selon les normes AEC-Q101, se caractérisent par une liste de matériaux respectueux de l'environnement, sans plomb et conformes à la directive RoHS, et font partie de l'initiative Zéro Défaut d'IR axée sur le secteur automobile.

Tous les MOSFET automobiles d'IR sont soumis à des tests de moyenne dynamique et statique, ainsi qu'à une inspection visuelle automatisée à 100 % des plaquettes, dans le cadre de l'initiative qualité automobile d'IR visant le zéro défaut. L'homologation AEC-Q101 exige une variation de RDS(on) inférieure à 20 % après 1 000 cycles de température. Cependant, lors de tests prolongés, la nouvelle nomenclature (BOM) AU d'IR a affiché une variation maximale de RDS(on) de seulement 12 % sur 5 000 cycles de température, démontrant ainsi sa robustesse et sa fiabilité.

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