Inoltre, aumentando la temperatura massima consentita della giunzione di sovraccarico a 175 °C, è possibile ottenere un incremento significativo della densità di potenza.
Il modulo IGBT7 TRENCHSTOP™ da 1200 V è disponibile in diverse configurazioni: il modulo raddrizzatore trifase PIM (Power Integrated Module) EasyPIM™ 1B da 1200 V con correnti di ingresso di 10 A e 25 A; il modulo EasyPACK™ 2B da 1200 V a sei IGBT; e il modulo da 100 A a sei IGBT. I nuovi moduli sono progettati con la stessa piedinatura dei moduli TRENCHSTOP IGBT4, semplificando il lavoro dei progettisti. Sono inoltre disponibili con correnti di uscita più elevate nello stesso package o con correnti di uscita simili in un package più piccolo, consentendo la realizzazione di inverter più compatti quando necessario. Tutti i moduli sono dotati dell'affidabile tecnologia di montaggio PressFit di Infineon, che garantisce una bassa resistenza ohmica e tempi di elaborazione ridotti.
I principali vantaggi del TRENCHSTOP™ IGBT7 includono:
• Basse perdite: la nuova tecnologia del chip presenta perdite significativamente inferiori con Vce(sat) ottimizzato.
• dv/dt ottimizzato per 2–8 kV/µs, ideale per applicazioni di pilotaggio.
• Prestazioni di cortocircuito ottimizzate; 8 µs a 150 °C sono sufficienti per applicazioni di pilotaggio.
• Il driver di gate è più semplice e ottimizzato per il condizionamento dell'applicazione. È richiesto un solo resistore di gate per il controllo.
• Tvjop aumentato fino a 175 °C, aumentando la densità di potenza.
• VCE(sat) migliore della categoria.
• Funzionamento a 175 °C sotto sovraccarico.
• Controllo migliorato ottimizzato per applicazioni di pilotaggio.
• Maggiore densità di potenza: stessa potenza in un package più piccolo del 35%.
I moduli TRUNCHSTOP™ IGBT7 da 1200 V di Infineon e il diodo a controllo di emettitore EC7 sono disponibili presso Farnell in Europa.
