ROHM ha sviluppato l'RS4P063BPHZG, un MOSFET da 100 V ottimizzato per le funzioni di sicurezza e i circuiti di protezione del settore automobilistico. Il nuovo prodotto raggiunge un'ampia SOA (Safe Operating Area) leader del settore* su un ampio intervallo di tensione nel package standard HPLF5060 (formato 5060), ampiamente utilizzato nelle applicazioni automotive.
ROHM ha sviluppato IGBT da 650 V di quarta generazione, ideali per compressori elettrici e riscaldatori ad alta tensione nel settore automobilistico, nonché per inverter in apparecchiature industriali. Come prodotti di classe 650 V di grado automobilistico,
ROHM ha sviluppato una nuova gamma di MOSFET superconnettori da 600 V, le serie R60xxXNx e R60xxWNx. Nei settori dei data center e delle apparecchiature industriali, la domanda di energia continua ad aumentare con l'incremento dei carichi di elaborazione, generando una forte richiesta di alimentatori più efficienti per ridurre sia il consumo energetico che la produzione di calore.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha presentato il TPM1R408RH, un MOSFET di potenza a canale N da 80 V basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H dell'azienda. Progettato per alimentatori switching industriali ad alta efficienza per apparecchiature di data center e stazioni base di comunicazione,
I sistemi di temporizzazione per i veicoli spaziali devono fornire segnali estremamente stabili e precisi agli strumenti di navigazione, comunicazione e scientifici, anche quando i segnali GNSS sono deboli o assenti.
NOVOSENSE Microelectronics ha annunciato il lancio della serie SP301H/L, una famiglia di isolatori digitali a tre canali basati sulla sua tecnologia brevettata di isolamento capacitivo di terza generazione.
Navitas Semiconductor ha annunciato il lancio del suo nuovo package UHV-TO-247-4-ISO, stabilendo un nuovo punto di riferimento per i dispositivi di potenza discreti ad alte prestazioni. Con una distanza di dispersione di oltre 12 mm tra i pin e un isolamento integrato superiore a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha introdotto sul mercato due isolatori digitali standard compatti, a quattro canali, a media velocità e a basso consumo, destinati ad apparecchiature industriali ed elettronica di consumo.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza a canale N con il lancio di nove nuovi componenti in tre tipologie di contenitori piccoli ad alta dissipazione termica.
Vishay Intertechnology, Inc. ha ampliato la sua piattaforma Gen 7 di raddrizzatori FRED Pt® Hyperfast da 1200 V con sei nuovi dispositivi della serie eSMP® nel package SMPC HV. Ottimizzati per applicazioni industriali, automobilistiche e di potenza, i raddrizzatori da 1 A, 2 A e 3 A offrono non solo il miglior equilibrio tra carica di recupero inversa (Qrr)
ROHM ha sviluppato la serie AG16xFNxx, una gamma di MOSFET di potenza da 80 V progettati per sistemi elettrici a 48 V, sempre più diffusi nelle applicazioni automobilistiche. Nel settore automobilistico, la richiesta di potenza è in aumento, in particolare nei modelli di veicoli di fascia alta.
Mouser Electronics, Inc. è un distributore globale autorizzato dei prodotti più recenti di Altera, il più grande fornitore al mondo di soluzioni FPGA esclusive. Con oltre 7.500 prodotti in magazzino o ordinabili, Mouser offre un ampio portfolio delle soluzioni più innovative di Altera, fornendo i componenti fondamentali per data center, intelligenza artificiale (IA), tecnologie immersive e applicazioni embedded.
ROHM ha sviluppato l'RS4P063BPHZG, un MOSFET da 100 V ottimizzato per le funzioni di sicurezza e i circuiti di protezione del settore automobilistico. Il nuovo prodotto raggiunge un'ampia SOA (Safe Operating Area) leader del settore* su un ampio intervallo di tensione nel package standard HPLF5060...
ROHM ha sviluppato IGBT da 650 V di quarta generazione, ideali per compressori elettrici e riscaldatori ad alta tensione nel settore automobilistico, nonché per inverter in apparecchiature industriali. Come prodotti di classe 650 V di grado automobilistico,
ROHM ha sviluppato una nuova gamma di MOSFET superconnetti da 600 V, le serie R60xxXNx e R60xxWNx. Nei settori dei data center e delle apparecchiature industriali, la domanda di energia continua ad aumentare con l'incremento dei carichi di elaborazione, generando forti...
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha presentato il TPM1R408RH, un MOSFET di potenza a canale N da 80 V basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H dell'azienda. Progettato per alimentatori switching industriali ad alta efficienza per apparecchiature di data center….
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Navitas Semiconductor ha annunciato il lancio del suo nuovo package UHV-TO-247-4-ISO, stabilendo un nuovo punto di riferimento per i dispositivi di potenza discreti ad alte prestazioni. Con una distanza di dispersione di oltre 12 mm tra i pin e un isolamento integrato superiore a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha introdotto sul mercato due isolatori digitali standard compatti, a quattro canali, a media velocità e a basso consumo, destinati ad apparecchiature industriali ed elettronica di consumo.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza a canale N con il lancio di nove nuovi componenti in tre tipologie di contenitori piccoli ad alta dissipazione termica.
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