Altri semiconduttori
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I sistemi industriali si stanno evolvendo per supportare l'automazione basata sull'intelligenza artificiale, la robotica e l'edge computing intelligente; per questo motivo, gli sviluppatori devono fornire reti deterministiche in tempo reale e ridurre al minimo i consumi, mantenendo al contempo la sicurezza e riducendo la complessità del sistema.
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Trelleborg Sealing Solutions presenta le sue più recenti soluzioni di tenuta per l'industria dei semiconduttori. Tra i prodotti in mostra figurano i nuovi materiali PureFab privi di tensioattivi fluorurati, guarnizioni per apparecchiature di produzione di wafer, soluzioni di tenuta per pompe a vuoto e componenti per processi industriali esigenti.
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Chip Volta presenta il CV-PMIC-48A, un circuito di gestione dell'alimentazione a cinque uscite per l'elettronica automobilistica. Il dispositivo integra due convertitori buck, tre regolatori LDO, funzioni di sequenziamento programmabili e di monitoraggio per i moduli della carrozzeria e le unità di comunicazione del veicolo.
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Navitas Semiconductor ha annunciato una nuova famiglia di moduli di potenza in carburo di silicio (SiC) ad altissima tensione, progettati per applicazioni di conversione energetica in reti elettriche, sistemi di accumulo e centri dati per l'intelligenza artificiale.
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Allegro MicroSystems ha annunciato l'ampliamento del proprio catalogo di componenti per la robotica con soluzioni di gestione dell'alimentazione a 48 V e sensori di posizione ad alta precisione, progettati per migliorare il controllo del movimento nei robot umanoidi e in altri sistemi di intelligenza artificiale fisica (IA fisica).
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StarPower Semiconductor ha presentato l'MD53HFL120L2S_B20, un modulo di potenza basato su transistor MOSFET al carburo di silicio (SiC), progettato per applicazioni ad alta tensione nei settori industriale e automobilistico. Il dispositivo ha una tensione nominale di 1200 V e una corrente nominale di 120 A e incorpora una topologia a semiponte composta da due MOSFET SiC a canale N collegati in serie.
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Toshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio di semiconduttori di potenza con il lancio dell'IX800FXF2YMS4, un modulo MOSFET a doppio carburo di silicio (SiC) progettato per apparecchiature di conversione e controllo di potenza industriali. Il nuovo dispositivo incorpora i MOSFET SiC di terza generazione di Toshiba e presenta una tensione drain-source nominale (VDSS) di 3.300 V e una corrente di drain CC nominale (ID) di 800 A.
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Renesas Electronics ha presentato il TP65H020G4PLSGBD, un dispositivo GaN da 650 V sviluppato per sistemi di conversione di potenza ad alta densità utilizzati nelle architetture HVDC a 800 V per i data center dedicati all'intelligenza artificiale.
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ROHM ha sviluppato l'RS4P063BPHZG, un MOSFET da 100 V ottimizzato per le funzioni di sicurezza e i circuiti di protezione del settore automobilistico. Il nuovo prodotto raggiunge un'ampia SOA (Safe Operating Area) leader del settore* su un ampio intervallo di tensione nel package standard HPLF5060 (formato 5060), ampiamente utilizzato nelle applicazioni automotive.
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ROHM ha sviluppato IGBT da 650 V di quarta generazione, ideali per compressori elettrici e riscaldatori ad alta tensione nel settore automobilistico, nonché per inverter in apparecchiature industriali. Come prodotti di classe 650 V di grado automobilistico,
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ROHM ha sviluppato una nuova gamma di MOSFET superconnettori da 600 V, le serie R60xxXNx e R60xxWNx. Nei settori dei data center e delle apparecchiature industriali, la domanda di energia continua ad aumentare con l'incremento dei carichi di elaborazione, generando una forte richiesta di alimentatori più efficienti per ridurre sia il consumo energetico che la produzione di calore.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha presentato il TPM1R408RH, un MOSFET di potenza a canale N da 80 V basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H dell'azienda. Progettato per alimentatori switching industriali ad alta efficienza per apparecchiature di data center e stazioni base di comunicazione,
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