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Würth Elektronik amplia la sua gamma di isolatori digitali (WPME-CDIS e WPME-CDIP) con isolatori bidirezionali a 2 canali per interfacce di comunicazione I²C. Il WPME-CDI2C consente la trasmissione bidirezionale fino a 2 MHz, rendendo questo isolatore adatto alla maggior parte delle applicazioni di comunicazione I²C.
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Farnell ha stretto una partnership con Littelfuse per offrire ai clienti una risorsa completa per tutte le esigenze dei loro progetti. I prodotti disponibili presso Farnell includono fusibili, interruttori automatici, dispositivi di protezione contro le sovratensioni, diodi TVS, tiristori, diodi, MOSFET, IGBT, driver per gate, moduli di potenza, interruttori e sensori.
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NXP Semiconductors NV ha annunciato due nuove famiglie di processori che potenziano i vantaggi dell'innovativa piattaforma automotive S32 di NXP, offrendo prestazioni elevate, sicurezza e capacità di elaborazione in tempo reale. Le famiglie di processori S32Z e S32E aiutano l'industria automotive ad accelerare l'integrazione di diverse applicazioni in tempo reale per il controllo di domini e zone, l'elaborazione della sicurezza e l'elettrificazione dei veicoli, elementi essenziali per la prossima generazione di veicoli più sicuri ed efficienti.
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Mouser ora ha in catalogo i transistor FET al carburo di silicio (SiC) UF4C e UF4SC da 1200 V di UnitedSiC (ora Qorvo®). Questa famiglia di dispositivi di quarta generazione, parte dell'ampia gamma di FET SiC ad alte prestazioni, offre eccellenti parametri in termini di resistenza di conduzione
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Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha aggiunto altri quattro MOSFET di potenza supergiunzione a canale N da 650 V alla sua serie DTMOSVI. Sulla scia del successo dei dispositivi esistenti, i nuovi dispositivi saranno utilizzati principalmente in applicazioni quali alimentatori industriali e per illuminazione, e in altre applicazioni che richiedono la massima efficienza in un formato compatto.
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KIOXIA Europe GmbH ha annunciato la disponibilità di campioni della sua ultima generazione di dispositivi di memoria flash integrata Universal Flash Storage (UFS) da 256 e 512 gigabyte (GB), versione 3.1. Disponibili in package da 0,8 e 1,0 mm di altezza, i nuovi prodotti migliorano le prestazioni del 30% per le letture casuali e del 40% per le scritture casuali [1]
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Toshiba Electronics Europe GmbH ha ampliato il suo portfolio di optoelettronica con il fotorelè TLP4590A. Disponibile in un compatto package DIP6, offre agli ingegneri un'alternativa più pratica e affidabile ai relè meccanici convenzionali. Questo fotorelè 1-Form-B (normalmente chiuso) conduce una corrente di 1,2 A, con un miglioramento del 140% rispetto al dispositivo TLP4176A di precedente generazione. Inoltre, la sua tensione di uscita è di 60 V in assenza di conduzione. La sua sensibilità è ulteriormente migliorata dalla bassa corrente di trigger del LED di 2 mA (massimo).
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La tecnologia dei transistor a effetto di campo (FET) al silicio è stata la scelta preferita in numerose applicazioni di potenza per decenni. In questo periodo, i produttori hanno compiuto progressi significativi nella riduzione della resistenza di conduzione e nel miglioramento della tensione di rottura, riducendo così le perdite e migliorando i margini di sicurezza.
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RC Microelectrónica, distributore per Spagna e Portogallo di Vishay Intertechnology, offre una famiglia completa di diodi Schottky in SiC con una tensione di rottura di 650 V in un singolo package TO-220AC ThroughHole a 2 strati o in un doppio package TO-247AD 3L THT in configurazione a catodo comune.
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Nexperia ha annunciato la prima famiglia di transistor da 80 V dotati di resistori. Questi nuovi RET, o "transistor digitali", offrono un ampio margine di sicurezza per l'utilizzo in circuiti stampati per autoveicoli a 48 V (ad esempio, veicoli ibridi di fascia media ed elettrici) e in altri circuiti ad alta tensione spesso soggetti a picchi e impulsi elevati che i precedenti componenti da 50 V non erano in grado di gestire.
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Nexperia offre il più ampio portafoglio del settore di componenti discreti di livello automotive in package DFN (Discrete Flat No Leads) compatti, termicamente efficienti e compatibili con AOI. La gamma di dispositivi AEC-Q101 disponibile copre tutti i gruppi di prodotti Nexperia e include diodi di commutazione, Schottky, Zener e di protezione, transistor a giunzione bipolare (BJT), MOSFET a canale N e a canale P, transistor con resistore integrato e driver per LED.
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SMART Modular Technologies, Inc., una consociata di SMART Global Holdings, Inc., ha presentato tre nuove famiglie di prodotti SSD al Flash Memory Summit 2019 di Santa Clara, in California.
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