Questi moduli si basano sull'HybridPACK Drive G1 e offrono una maggiore densità di potenza pur mantenendo le stesse dimensioni compatte. I moduli integrano le tecnologie di chip MOSFET EDT3 (Si IGBT) e CoolSiC™ G2 di ultima generazione di Infineon per garantire prestazioni scalabili. I moduli di alimentazione sono facili da usare e offrono un'ampia gamma di funzioni avanzate che consentono di ridurre i costi di sistema, come le opzioni di integrazione dei sensori e il rilevamento della temperatura on-chip. I moduli HybridPACK Drive G2 offrono inoltre numerosi miglioramenti al package per ottimizzare le prestazioni e la durata del prodotto.
I rivetti migliorati garantiscono robustezza su tutto l'intervallo di temperatura e la piastra di base PinFin consente il raffreddamento diretto. I moduli offrono una gamma di potenza fino a 300 kW nelle classi 750 e 1200 V, una conduttività termica migliorata e un'elevata durata, che li rendono ideali per ambienti difficili. L'HybridPACK Drive G2 SiC offre un'affidabilità superiore contro l'ossido di gate e i raggi cosmici e riduce le perdite dell'inverter di due terzi rispetto alle soluzioni IGBT di ultima generazione.
