I moduli Vishay Semiconductors VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120 integrano la più recente generazione di MOSFET al carburo di silicio (SiC) di Vishay nel package SOT-227, standard del settore.
Disponibile in configurazioni a singolo interruttore e a chopper a basso lato, ogni modulo di potenza è dotato di un MOSFET SiC integrato con un diodo soft-body che offre un basso recupero inverso. Ciò si traduce in minori perdite di commutazione e maggiore efficienza in inverter solari; caricabatterie per veicoli elettrici (EV) off-grid; alimentatori switching (SMPS), convertitori DC/DC, UPS e sistemi HVAC; sistemi di accumulo a batteria su larga scala; e alimentatori per telecomunicazioni.
Il package SOT-227 compatto dei modelli VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120 consente di utilizzare questi dispositivi come sostituti diretti di soluzioni concorrenti in progetti esistenti, permettendo ai progettisti di adottare una delle più recenti tecnologie SiC senza la necessità di modificare il design del PCB. Inoltre, il package stampato offre un isolamento elettrico fino a 2500 V per un minuto, riducendo i costi eliminando la necessità di un isolamento aggiuntivo tra il componente e il dissipatore di calore.
I moduli di potenza forniscono una corrente di drain continua da 50 A a 200 A e una bassa resistenza di conduzione fino a 12,1 mΩ. I dispositivi sono conformi alla direttiva RoHS, offrono una commutazione ad alta velocità con bassa capacità e resistono a un'elevata temperatura massima di giunzione di +175 °C.
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