Inoltre, il valore di RDS(ON) x QGD, che rappresenta l'indicatore di prestazione dei MOSFET, migliora di circa il 52%. Le applicazioni target includono alimentatori switching ad alta efficienza per data center, condizionatori di potenza per generatori fotovoltaici e sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS).
Il nuovo prodotto utilizza il popolare package TOLL, che presenta una connessione Kelvin per il terminale di sorgente del segnale. Di conseguenza, l'induttanza del filo di sorgente ha un impatto minore, riducendo le oscillazioni di commutazione e migliorando le prestazioni di commutazione quando il MOSFET opera ad alte velocità di gate. La sagomatura dei pin applicata garantisce connessioni di saldatura corrette, aumenta l'affidabilità dell'assemblaggio e facilita l'ispezione visiva.
La temperatura massima del canale (Tch) del nuovo prodotto è di 150 °C. La resistenza RDS(ON) di 47 mΩ è specificata a una tensione gate-source di 10 V.
La carica totale di gate (Qg), la carica di gate-drain (Qgd) e la capacità di ingresso (Ciss) tipiche sono rispettivamente di 65 nC, 15 nC e 3680 pF. Questi fattori consentiranno al nuovo dispositivo di commutare alla massima velocità possibile.
Toshiba continuerà ad ampliare la sua gamma di prodotti della serie DTMOSVI da 600 V e la già lanciata serie DTMOSVI da 650 V, per contribuire al risparmio energetico riducendo le perdite di potenza negli alimentatori switching.
