Queste caratteristiche rendono i dispositivi ideali per il controllo dei motori, gli alimentatori, i sistemi di energia rinnovabile e altre applicazioni ad alta potenza. La gamma comprende anche MOSFET specifici per applicazioni (ASFET) progettati per funzioni hot-swap nei server AI. Grazie alle opzioni di raffreddamento superiore e inferiore, questi MOSFET CCPAK offrono un'elevata densità di potenza e soluzioni affidabili. Tutti i dispositivi sono supportati dalla registrazione JEDEC e dalle schede tecniche interattive Nexperia per una perfetta integrazione.
Il modello di riferimento PSMN1R0-100ASF è un MOSFET di potenza da 0,99 mΩ e 100 V in grado di pilotare 460 A e dissipare 1,55 kW di potenza, ma in un package CCPAK1212 che occupa solo 12 mm x 12 mm di spazio sulla scheda. Il PSMN1R0-100CSF offre specifiche simili in una versione con raffreddamento superiore.
Il segreto di queste prestazioni eccezionali risiede nella struttura interna dei dispositivi. La sigla "CC" in CCPAK1212 sta per "copper clip" (clip di rame), il che significa che il chip di silicio del MOSFET di potenza è racchiuso tra due pezzi di rame: la linguetta di drain da un lato e la clip di source dall'altro. Eliminando completamente le giunzioni dei fili, questo assemblaggio ottimizzato offre una bassa resistenza di connessione, induttanze parassite ridotte, elevate correnti di picco ed eccellenti prestazioni termiche.
I MOSFET NextPower CCPAK1212 da 80/100 V sono consigliati per applicazioni industriali ad alta potenza in cui l'efficienza e l'affidabilità sono fondamentali, come il controllo di motori brushless a corrente continua (BLDC), gli alimentatori switching (SMPS), i sistemi di gestione delle batterie (BMS) e i sistemi di accumulo di energia rinnovabile. La disponibilità di questi MOSFET ad alta potenza in un unico package riduce la necessità di parallelizzazione, semplificando la progettazione e offrendo soluzioni più compatte ed economiche.
L'annuncio di Nexperia CCPAK1212 include anche diversi nuovi MOSFET specifici per applicazioni (ASFET) progettati per la sostituzione a caldo in server AI sempre più potenti. Questi dispositivi presentano un'area operativa sicura (SOA) migliorata, che offre una stabilità termica superiore durante le transizioni in modalità lineare.
In tutte queste applicazioni, la disponibilità di opzioni di raffreddamento sia superiori che inferiori offre agli ingegneri una selezione di tecniche di dissipazione del calore, particolarmente utili quando la dissipazione del calore attraverso il circuito stampato risulta impraticabile a causa della sensibilità degli altri componenti.
“Nonostante offriamo prestazioni leader di mercato, sappiamo che alcuni clienti potrebbero essere restii a progettare un package relativamente nuovo”, ha affermato Chris Boyce, General Manager del Product Group di Nexperia. “Per questo motivo, abbiamo registrato il CCPAK1212 presso l'organizzazione di standardizzazione JEDEC (riferimento MO-359). Abbiamo adottato un approccio simile quando abbiamo introdotto il primo package MOSFET LFPAK qualche anno fa e, di conseguenza, ora sono disponibili sul mercato molti dispositivi compatibili. Non si è mai soli a lungo quando le innovazioni offrono un valore reale ai clienti”, ha concluso Boyce.
Tutti i nuovi dispositivi MOSFET CCPAK1212 sono supportati da una gamma di strumenti di progettazione avanzati, inclusi modelli di simulazione con compensazione termica. Le tradizionali schede tecniche in formato PDF sono affiancate dalle schede tecniche interattive e intuitive di Nexperia, che ora includono una nuova funzione di conversione da grafico a CSV, che consente agli ingegneri di scaricare, analizzare e interpretare i dati relativi alle caratteristiche principali di ciascun dispositivo. Ciò non solo semplifica il processo di progettazione, ma aumenta anche la fiducia nelle decisioni di progettazione.
Nexperia prevede di estendere il package CCPAK1212 ai MOSFET di potenza in tutte le gamme di tensione e anche ai suoi portafogli di prodotti qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico, rispondendo così alle mutevoli esigenze dei sistemi di prossima generazione con i requisiti di corrente e prestazioni termiche più stringenti.
