Le comprovate prestazioni e l'affidabilità della tecnologia GaN la rendono la scelta ideale per applicazioni infrastrutturali, di difesa e aerospaziali, come radar, comunicazioni, navigazione e simili. Le maggiori capacità prestazionali offrono ai progettisti la flessibilità di ridurre l'ingombro della scheda e i costi di sistema, migliorando al contempo le prestazioni complessive.
Il Qorvo QPD1025L, disponibile presso Mouser Electronics, è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) che supporta sia il funzionamento a onda continua che a onda pulsata (CW) per offrire prestazioni più efficienti, paragonabili a quelle dei dispositivi LDMOS basati sul silicio. Alimentato da una tensione di 65 V, il dispositivo offre un guadagno lineare di 22,5 dB e un'efficienza energetica tipica (PAE3dB) del 77,2%. Il QPD1025L è dotato di un pre-ingresso interno, che semplifica la compatibilità con schede esterne e consente di risparmiare spazio sulla scheda.
Il transistor senza piombo, conforme alla direttiva RoHS, è compatibile con la scheda di valutazione QPD1025L.
