Il transistor R24C2T25 da 2W può essere regolato tramite reti di resistori esterni per fornire un intervallo di tensione da +2,5 a +22,5 V CC su un'uscita e da -2,5 a 22,5 V CC sulla seconda, con una somma totale di tensioni da 18 a 25 V CC, ad esempio +15/-3 V, per pilotare in modo efficiente i gate dei MOSFET SiC. Le tensioni vengono mantenute entro +/-1,5%, prevenendo il rischio di sovratensione e danni.
Il componente R24C2T25 ha una tensione di isolamento nominale di 3 kVAC/1 min, una capacità di accoppiamento estremamente bassa di 3,5 pF e un'immunità ai transitori di modo comune di +/-150 V/ns. Queste caratteristiche lo rendono ideale per alimentare i gate drive high-side con fronti di commutazione di tensione e corrente rapidi.
La temperatura nominale è fino a 82 °C di temperatura ambiente con una potenza di uscita di 2 W, con 2,5 W disponibili fino a 75 °C. È disponibile anche una potenza di uscita ridotta fino al valore massimo del package di 125 °C.
Il R24C2T25 è dotato di tutte le funzionalità necessarie: avvio graduale, blocco per sovratensione e sottotensione in ingresso, spegnimento termico e protezione da sovracorrente in uscita. Il blocco per sovratensione e sottotensione in uscita garantisce inoltre che i dispositivi di potenza non siano soggetti a tensioni di gate non valide. È presente un segnale "power-good" e un pulsante ON/OFF per mettere il dispositivo in modalità standby con un assorbimento di corrente inferiore a 700 µA.
"Fornire tensioni di pilotaggio del gate precise è fondamentale, soprattutto per i dispositivi a gap ampio di nuova generazione", afferma Matthew Dauterive, Product Manager DC/DC di RECOM. "L'R24C2T25 può essere regolato su livelli di tensione ottimali per la migliore combinazione di efficienza e sicurezza del sistema.".
Il modello R24C2T25 è coperto da una garanzia di tre anni ed è disponibile presso tutti i distributori autorizzati RECOM o contattando direttamente il produttore. È possibile richiedere campioni tramite il sito web di RECOM.
