L'elettrificazione delle automobili, i crescenti requisiti di potenza delle apparecchiature di telecomunicazione 5G e l'avvento dell'Industria 4.0 richiedono efficienze di conversione energetica per le quali il GaN è destinato a diventare la tecnologia dominante. Queste tendenze sono alla base della crescente domanda di semiconduttori di potenza nel 2021 e negli anni successivi. UAES ha già iniziato a utilizzare i transistor GaN FET di Nexperia in progetti di ricerca e sviluppo e collaborazioni, tra cui caricabatterie montati su veicoli e convertitori DC-DC ad alta tensione per veicoli elettrici. La tecnologia GaN di Nexperia vanta prestazioni eccezionalmente elevate (RDS(on) x QGD) e carica di recupero inversa (Qrr) che supportano alte frequenze di commutazione e un'efficiente conversione di potenza. Nexperia produce GaN utilizzando tecniche di produzione di massa consolidate e affidabili, principalmente nei propri stabilimenti produttivi globali, per realizzare prodotti conformi agli standard automobilistici AEC-Q101.

UAES fornisce alle case automobilistiche soluzioni avanzate e complete per i sistemi di controllo della carrozzeria e i gruppi propulsori. L'azienda è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di sistemi di gestione per motori a benzina, sistemi di controllo della trasmissione, sistemi elettronici per la carrozzeria dei veicoli e sistemi di controllo della propulsione ibrida ed elettrica. I suoi cinque centri tecnologici in Cina vantano laboratori di livello mondiale per lo sviluppo di veicoli completi, motori, trasmissioni automatiche e sistemi di propulsione elettrica. Le attrezzature all'avanguardia consentono di fornire in modo efficiente servizi di ingegneria di alta qualità, tra cui lo sviluppo di sistemi, lo sviluppo di componenti e la calibrazione, a diverse case automobilistiche cinesi.

Paul Zhang, Vicepresidente senior delle vendite e del marketing e Direttore generale di Nexperia in Cina, ha commentato: "La densità di potenza e l'efficienza dei transistor a effetto di campo GaN a base di silicio svolgeranno un ruolo fondamentale nell'elettrificazione delle automobili. Riconosciamo l'ampia offerta di UAES, la sua posizione nel settore e la sua base clienti nell'industria automobilistica e crediamo che la nostra intensificata collaborazione sul GaN aiuterà entrambe le aziende a fornire ai nostri clienti soluzioni di sistemi di alimentazione per veicoli elettrici più avanzate ed efficienti. All'inizio di questo mese, abbiamo annunciato un aumento della produzione globale e degli investimenti in ricerca e sviluppo per supportare appieno lo sviluppo di nuovi prodotti. Intendiamo espandere i nostri investimenti e istituire congiuntamente un laboratorio per sviluppare applicazioni della tecnologia GaN per il settore automobilistico."

Un portavoce del management di UAES ha dichiarato: "Siamo lieti di collaborare con Nexperia allo sviluppo di soluzioni innovative per i sistemi di alimentazione dei veicoli elettrici basate sulla tecnologia GaN. Nexperia è un fornitore leader di semiconduttori per applicazioni automobilistiche. Questa partnership ci aiuterà a ridurre il numero di dispositivi utilizzati, a contenere i costi, ad aumentare la densità di potenza e a migliorare l'affidabilità e l'efficienza dell'intero sistema."

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