La Agencia Internacional de la Energía prevé que el consumo energético de los centros de datos se duplique para 2030[1], lo que convierte las mejoras en eficiencia energética en una necesidad imperiosa. Se prevé que el mercado de semiconductores de potencia para centros de datos registre una tasa compuesta de crecimiento anual (CAGR) del 11,0 %, alcanzando unas ventas globales de 4.290 millones de dólares estadounidenses en 2032[2], mientras que ResearchandMarkets.com ha pronosticado que el mercado de inversores de tracción para vehículos eléctricos (EV) registrará una CAGR del 16,1 % y alcanzará unas ventas globales de 67.600 millones de dólares estadounidenses en 2034 [3].
Esta nueva colaboración a largo plazo permitirá a NXP desarrollar soluciones de sistemas basadas en GaN, aprovechando los productos avanzados de GaN de CGD, el acceso temprano a los desarrollos de GaN de próxima generación de CGD y la amplia experiencia del equipo en procesos y tecnologías de GaN. Al mismo tiempo, CGD se beneficiará del acceso a la amplia cartera de procesadores y productos analógicos de NXP, sus conocimientos técnicos sobre sistemas y su alcance comercial global, lo que acelerará la penetración en el mercado a través de soluciones optimizadas a nivel de sistema.
Fabio Necco | Director general, CGD
«Al trabajar en estrecha colaboración con NXP, estamos acelerando el cambio hacia una nueva clase de electrónica de potencia basada en GaN. Esta colaboración consiste en aprovechar el rendimiento del GaN para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la fiabilidad en los sistemas de centros de datos y automoción del mundo real, donde el rendimiento, el coste y la sostenibilidad deben ir ahora de la mano».
Chris Bretz | Vicepresidente de Sistemas de Potencia Avanzados, NXP
«CGD combina la innovación avanzada en GaN con soluciones de potencia prácticas y escalables, ofreciendo una robustez, fiabilidad y rendimiento a nivel de sistema superiores. Con una profunda experiencia en dispositivos y un sólido conocimiento técnico, CGD es un colaborador ideal a largo plazo para que NXP acelere la adopción de GaN de alta eficiencia en los mercados de alto crecimiento».
Los semiconductores de GaN permiten la conmutación a frecuencias más altas y alcanzan una mayor eficiencia en comparación con las tecnologías de la competencia.
El rápido aumento de la demanda de energía en los centros de datos se debe, en particular, al uso creciente de la IA. Un solo rack podría haber consumido solo 40 kW en 2022, pero hoy en día puede consumir 200 kW o más, y se espera que un solo rack requiera 1 MW o más para 2030. El aumento de la densidad de cálculo y las modernas arquitecturas de potencia imponen requisitos estrictos en cuanto a la densidad de potencia y la necesidad de ofrecer altas relaciones de reducción de tensión, al tiempo que se mantiene la eficiencia energética. ICeGaN se encuentra en una posición única para satisfacer estos requisitos, ya que permite operaciones con mayor frecuencia de conmutación, mayor densidad de potencia y ofrece una fiabilidad superior en comparación con las soluciones discretas de GaN.
En los inversores de tracción para automoción, el GaN puede mejorar la eficiencia a baja carga. La tecnología ICeGaN de CGD es la única tecnología basada en GaN de un solo chip que funciona con un controlador estándar y permite la conexión en paralelo de múltiples dispositivos para satisfacer los requisitos de alta corriente que exigen los inversores de tracción.
La propiedad intelectual y el conjunto de competencias complementarias de ambas empresas permitirán ofrecer soluciones a nivel de sistema con una diferenciación única a los clientes que exploren las ventajas de los dispositivos de GaN en estos dos importantes mercados.
[1] Agencia Internacional de la Energía (AIE) (2025), Energía e IA, AIE, París https://www.iea.org/reports/energy-and-ai, Licencia: CC BY 4.0
[2] Informe sobre el tamaño, la cuota y el crecimiento del mercado de semiconductores de potencia para centros de datos 2032
[3] ResearchandMarkets.com (2025), Perspectivas del mercado de los inversores de tracción 2025-2034: cuota de mercado y análisis de crecimiento por propulsión (vehículos eléctricos de batería (BEV), vehículos eléctricos híbridos (HEV), vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV), otras propulsiones), por tecnología y por tipo de vehículo.
