Semicondutores
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- Categoria: Design
A NXP® Semiconductors lançou a sua nova plataforma S32G GoldVIP para ajudar a resolver desafios de desenvolvimento em tempo real e aplicações veiculares definidas por software, utilizando processadores S32G. Esta plataforma revolucionária de integração de veículos oferece diversas vantagens para a avaliação de processadores S32G, desenvolvimento de software e prototipagem rápida.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A ROHM criou o QuiCur™, uma nova tecnologia de fonte de alimentação que melhora as características de resposta a transitórios de carga (desempenho de resposta que engloba a velocidade de resposta e a estabilidade da tensão do estágio seguinte) dos circuitos integrados de conversores CC/CC (reguladores de comutação) e LDOs (reguladores lineares).
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- Categoria: Design
Atualmente, os chipsets de 32 bits detêm a maior fatia do mercado de microcontroladores embebidos, mas os sistemas com núcleos de 8 e 16 bits são também frequentemente utilizados. Estes microcontroladores são construídos com núcleos consagrados que, graças ao seu longo percurso no mercado, foram exaustivamente testados e melhorados.
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- Categoria: Outros semicondutores
O AIROC™ CYW20835 é um SoC (sistema num chip) Bluetooth® de baixo consumo que cumpre as especificações Core 5.2 para aplicações IoT. Oferece elevados níveis de integração para minimizar o número de componentes externos necessários, reduzindo o tamanho do dispositivo e os custos associados à implementação de aplicações de baixo consumo ligadas por Bluetooth®.
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- Categoria: Circuitos Integrados
Os HEMTs de GaN de 150 V da ROHM, série GNE10xxTB (GNE1040TB), elevam a tensão de porta não disruptiva (tensão nominal porta-fonte) para 8 V, um valor líder no setor. Isto torna-os ideais para aplicações em circuitos de alimentação de equipamentos industriais, como estações base e centros de dados, bem como dispositivos de comunicação IoT.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Power Integrations anunciou a família HiperPFS™-5 de circuitos integrados para correção do fator de potência (PFC) com um interruptor PowiGaN™ de nitreto de gálio de 750 V integrado. Com uma eficiência de até 98,3%, os novos circuitos integrados fornecem até 240 W sem dissipador de calor e podem atingir um fator de potência superior a 0,98.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Power Integrations anunciou o chipset HiperLCS™-2 de baixo consumo, uma nova família de circuitos integrados que simplifica drasticamente o design e o fabrico de conversores de potência ressonantes LLC.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Mouser disponibiliza agora o desmodulador em quadratura de banda Ka ADMV4540 da Analog Devices. O ADMV4540 é um desmodulador ortogonal altamente integrado com sintetizador incorporado, adequado para sistemas de comunicação por satélite de banda K de alto desempenho e de última geração, que requerem uma unidade externa completa.
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- Categoria: Circuitos Integrados
Os projetistas de sistemas de energia destinados à tração, unidades de potência auxiliares, transformadores de estado sólido, acionamentos de motores industriais e soluções de infraestruturas energéticas necessitam de tecnologia de comutação de alta tensão que aumente a eficiência, reduza o tamanho do sistema e melhore a fiabilidade.
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- Categoria: Circuitos Integrados
O SCM3560ATA é um driver económico para buzzers eletromagnéticos com MOSFET de potência integrado. Opera de forma fiável numa ampla gama de tensão de 3V a 24V e apresenta frequências de saída selecionáveis de 2,04kHz, 2,3kHz e 2,7kHz, com uma precisão de ±3% alcançável através de uma tecnologia de correção avançada. Além disso, tem um baixo consumo de energia estática, inferior a 300µA.
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A ROHM desenvolveu o circuito integrado conversor D/A BD34352EKV (chip DAC) e a placa de avaliação correspondente BD34352EKV-EVK-001, que suportam a reprodução de fontes sonoras de alta resolução em equipamentos áudio de alta fidelidade.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Toshiba Electronics Europe GmbH apresenta o novo circuito integrado TCK421G para acionamento de gate de MOSFETs, que controla a tensão de gate dos MOSFETs de canal N externos com base na tensão de entrada.
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