Los dispositivos utilizan el proceso SOI patentado por Toshiba (TarfSOI™) para alcanzar un ancho de banda diferencial típico de -3 dB de 29 GHz en el caso del TDS5B212MX y de 34 GHz en el del TDS5C212MX. Estos amplios anchos de banda reducen la distorsión de la señal y mejoran la fiabilidad en la transmisión de datos a alta velocidad. Además, ambos productos cuentan con diseños de pines optimizados para mejorar el rendimiento a altas frecuencias. En concreto, el TDS5C212MX minimiza la longitud de la ruta de la señal para reducir las reflexiones y las pérdidas de transmisión, lo que mejora aún más la integridad de la señal de alta velocidad.
Los dispositivos pueden utilizarse como conmutadores multiplexores (Mux) de 2 entradas y 1 salida o como conmutadores demultiplexores (De-Mux) de 1 entrada y 2 salidas, y admiten velocidades de datos de hasta 64 GT/s para interfaces diferenciales de alta velocidad, entre las que se incluyen PCIe® 6.0, USB4® versión 2.0, CXL™ 3.x, Thunderbolt™ 5 y DisplayPort™ 2.0. Ambos productos son, además, compatibles con versiones anteriores de los estándares de interfaz. Los dispositivos permiten compartir de forma flexible una única interfaz de alta velocidad entre varios dispositivos y conmutar dinámicamente la ruta de la señal en función de los requisitos del sistema.
Alojados en el encapsulado XQFN16 (2,4 mm × 1,6 mm × 0,4 mm), los productos son adecuados para diseños de alta densidad, como smartphones y dispositivos wearables. Además, funcionan en un rango de temperaturas de entre -40 °C y +125 °C, lo que los hace adecuados para aplicaciones industriales con limitaciones de espacio.
